[实用新型]二合一反应与熔融设备无效
| 申请号： | 201020270660.9 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN201773823U | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 子路·麦可·吴 | 申请（专利权）人： | 麦特瑞奇股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 英属维尔京群岛罗*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二合一 反应 熔融 设备 | ||
1.一种二合一反应与熔融设备，其特征在于，主要包含有
一容器，该容器的内部形成有一第一腔体；
一第一进料阀口，设置于该容器的第一位置，用以供应一第一反应原料进入该容器的该第一腔体内；
一第二进料阀口，设置于该容器的第二位置，用以供应一第二反应原料进入该第一腔体内；
一坩埚，设置于该容器的内部，该坩埚的内部形成有一第二腔体，该第一反应原料与该第二反应原料于该第二腔体内发生化学反应以形成该第一反应生成物，且该第一反应生成物于该第二腔体内发生物理反应以形成一第二反应生成物；
该坩埚具有至少一个透孔，该透孔用以导出该第二腔体内的该第二反应生成物；
一加热装置，设置于该坩埚的外部；
一第一出料阀口，设置于该容器的第三位置，用以导出该第二腔体内的第二反应生成物；以及
一第一排气阀口，设置于该容器的第四位置。
2.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该加热装置为电磁线圈，该坩埚为可被电磁感应的材质。
3.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该加热装置为加热线圈、石英加热管或加热陶瓷。
4.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该第一排气阀口进一步设置有一第一出口与一第二出口，该第一出口连接至一清洗塔，该第二出口连接至一真空排气装置。
5.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，该第一出料阀口进一步连接至一承载装置，该承载装置用以容置该第二反应生成物。
6.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，进一步设有一第三进料阀口，设置于该承载装置的第五位置，其中该第三进料阀口可用以供应惰性气体进入该承载装置内。
7.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，进一步设有一第二排气阀口，设置于该承载装置的第六位置，其中该第二排气阀口进一步设置有一第三出口与一第四出口，该第三出口连接至一清洗塔，该第四出口连接至一真空排气装置。
8.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该第一反应原料为含7A族的化合物或4A族的化合物。
9.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该第二反应原料为1A族元素或为含1A族的化合物。
10.依据权利要求1的二合一反应与熔融设备，其特征在于，其中该第一进料阀口可进一步供应一惰性气体进入该容器的该第一腔体及该第二腔体内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
