[实用新型]一种自适应电流镜

权利要求书

1.一种自适应电流镜，由若干个子级电流镜串联组成，其特征在于，每个子级电流镜包括：

一输入电路单元，该输入电路单元由至少一个基本晶体管和至少一个备选晶体管并联组成，基本晶体管的漏极连接一输入电流，备选晶体管与基本晶体管之间设有开关；

若干输出电路单元，每个输出电路单元由至少一个基本晶体管和至少一个备选晶体管并联组成，备选晶体管与基本晶体管之间设有开关，输入电路单元与输出电路单元中基本晶体管栅极均互连，输入电路单元与输出电路单元中基本晶体管的源极均互连；

一电压检控单元，检测输入电路单元与输出电路单元中晶体管的栅极电压，与预设的两个电压基准比较，根据比较结果控制输入电路单元与输出电路单元中开关的通断。

2.根据权利要求1所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的输入电路单元和输出电路单元中基本晶体管和备选晶体管具有相同的阈值电压。

3.根据权利要求1或2所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的输入电路单元中基本晶体管的漏极连接第一运算放大器的一个输入端，第一运算放大器的另一个输入端连接一参考电压，第一运算放大器的输出端连接所述的输入电路单元中基本晶体管的栅极。

4.根据权利要求1或2所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的输出电路单元中基本晶体管的漏极通过一负反馈阻抗调节单元输出电流，所述的负反馈阻抗调节单元由第二运算放大器与第一晶体管组成，所述的第二运算放大器的一个输入端接输入电路单元中基本晶体管的漏极，第二运算放大器的另一个输入端接第一晶体管的源极和输出电路单元中基本晶体管的漏极，第二运算放大器的输出端接第一晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的子级电流镜的输入电路单元和输出电路单元中的晶体管和第一晶体管为增强型NMOS管或增强型PMOS管；

所述的子级电流镜的输入电路单元和输出电路单元中的晶体管如果是NMOS，则其源极接地；

所述的子级电流镜的输入电路单元和输出电路单元中的晶体管如果是PMOS，则其源极接电流镜工作电压。

6.根据权利要求5所述的自适应电流镜，其特征在于，相邻两个子级电流镜的输入电路单元和输出电路单元中的晶体管的导电类型不同。

7.根据权利要求1所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的电压检控单元包括第一电压比较器、第二电压比较器、若干个RS触发器和/或若干个与非门，其中第一电压比较器将输入电路单元中晶体管的栅极电压与第一电压基准比较，若栅极电压大于第一电压基准，则通过RS触发器和/或与非门向输入电路单元和/或输出电路单元中的开关发出控制信号，使开关闭合；

第二电压比较器将输入电路单元中晶体管的栅极电压与第二电压基准比较，若栅极电压小于第二电压基准，则通过RS触发器和/或与非门向输入电路单元和/或输出电路单元中的开关发出控制信号，使开关断开。

8.根据权利7所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的第一电压基准小于电流镜的工作电压，所述的第二电压基准大于所述的参考电压与输入电路单元中晶体管阈值电压之和，第二电压基准小于第一电压基准。

9.根据权利要求1所述的自适应电流镜，其特征在于，所述的输入电路单元和输出电路单元中的晶体管工作在线性区。