[实用新型]非晶丝磁阻抗传感器

权利要求书

1.一种非晶丝磁阻抗传感器，包括：

非晶丝；

信号采样线圈，缠绕在非晶丝上，用于检测外部磁场信息；

激励电路，用于直接向非晶丝提供激励信号；和

信号采集与处理电路，采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理，从而输出直流电压信号，

其特征在于，还包括并联谐振电路由电容(C1)与信号采样线圈并联组成，不仅可以选择出有效电压信号，还可以对所选的有效电压信号进行放大。

2.根据权利要求1所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于还包括直流偏置电压电路，直接与非晶丝连接，用于给非晶丝提供直流偏置电压，从而增强环形磁畴在圆周方向上的磁化，使得圆周磁导率增加，而且也使得非晶丝环形磁畴的指向趋于一致。

3.根据权利要求2所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于直流偏置电压电路由第一电感(L1)和第一电阻(R1)串联组成。

4.根据权利要求1所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于激励信号包括方波信号、正弦波信号、锯齿波信号或电噪声信号。

5.根据权利要求2所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于激励信号包括方波信号、正弦波信号、锯齿波信号或电噪声信号。

6.根据权利要求3所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于激励信号包括方波信号、正弦波信号、锯齿波信号或电噪声信号。

7.根据权利要求1所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于激励电路包括可编程振荡器，可编程振荡器与非晶丝之间通过第二电阻(R2)相联接。

8.根据权利要求6所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于激励电路包括可编程振荡器，可编程振荡器与非晶丝之间通过第二电阻(R2)相联接。 

9.根据权利要求1所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于绕制在非晶丝上的线圈还包括负反馈线圈，负反馈线圈的一端接地，另一端串联第二电感(L2)和可调电阻(W1)，与信号采集与处理电路的输出端联接，从而共同构成负反馈回路。

10.根据权利要求8所述的非晶丝磁阻抗传感器，其特征在于绕制在非晶丝上的线圈还包括负反馈线圈，负反馈线圈的一端接地，另一端串联第二电感(L2)和可调电阻(W1)，与信号采集与处理电路的输出端联接，从而共同构成负反馈回路。