[实用新型]晶片运输箱以及设置在其中用于盛放晶片盒的缓冲件有效
申请号: | 201020282067.6 | 申请日: | 2010-07-29 |
公开(公告)号: | CN201793136U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 高玉;张贺丰;管先辉;苏新香 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B65D81/05 | 分类号: | B65D81/05;B65D85/30 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;谢栒 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 运输 以及 设置 其中 用于 盛放 缓冲 | ||
1.一种设置在晶片运输箱中用于盛放晶片盒的缓冲件,其特征在于,包括:
主体,所述主体具有顶面、底面和侧面,且所述顶面上具有用于盛放所述晶片盒的下凹区域;和
缓冲区域,所述缓冲区域分别位于所述主体的所述各个侧面,所述缓冲区域的截面形状均为波形,所述波形为自所述侧面向所述主体的外侧延伸。
2.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述主体具有四个侧面。
3.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述截面由垂直于所述主体的所述顶面的方向和垂直于所述缓冲区域所在的所述侧面的方向所确立。
4.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述缓冲区域的厚度均与所述主体相同。
5.根据权利要求1或4所述的缓冲件,其特征在于,所述缓冲件是用压制成型、挤出成型、注塑成型或压延成型工艺中的一种工艺一体成型的成型件。
6.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述缓冲件以选自发泡聚苯乙烯、发泡聚丙烯、发泡聚乙烯或聚氯乙烯材料中的一种材料作为原料。
7.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述主体的厚度为所述晶片运输箱的高度的10%~20%。
8.根据权利要求7所述的缓冲件,其特征在于,所述主体的厚度为所述晶片运输箱的高度的13%~17%。
9.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述主体为长方体。
10.根据权利要求9所述的缓冲件,其特征在于,所述主体为正方体。
11.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述下凹区域位于所述主体的中央区域。
12.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述下凹区域的形状与所述晶片盒的底部形状相同。
13.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述下凹区域的底部离所述顶面的距离小于所述主体的厚度。
14.根据权利要求13所述的缓冲件,其特征在于,所述下凹区域的底部离所述顶面的距离为所述主体的厚度的一半。
15.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述缓冲区域在垂直于所述缓冲区域所在的所述侧面的方向上的长度均占所述缓冲件在同一方向上的全部长度的20%~30%。
16.根据权利要求15所述的缓冲件,其特征在于,所述缓冲区域在垂直于所述缓冲区域所在的所述侧面的方向上的长度均占所述缓冲件在同一方向上的全部长度的23%~27%。
17.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述截面形状包括至少一个由以下波形构成的截面形状:三角波形、正弦波形、矩形波形或其中两种以上的波形的组合。
18.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述截面形状均为由重复图形构成的连续波形。
19.根据权利要求1、17或18所述的缓冲件,其特征在于,所述截面形状均具有至少3个波峰。
20.根据权利要求1所述的缓冲件,其特征在于,所述波形的高度至多为所述晶片运输箱的高度的50%。
21.一种晶片运输箱,其特征在于,包括:
箱体;和
两个如权利要求1至20中任一项所述的缓冲件,其尺寸与所述箱体的容纳尺寸匹配,并以所述下凹区域来盛放所述晶片盒。
22.根据权利要求21所述的晶片运输箱,其特征在于,所述晶片运输箱还包括所述晶片盒。
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