[实用新型]桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器

权利要求书

1.一种桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器，其特征在于，包括：滤波电路、整流电路和升压电路，其中：滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接，升压电路的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。

2.根据权利要求1所述的桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器，其特征是，所述的整流电路包括：四个功率二极管、两个功率MOSFET和电阻，其中：第一功率二极管与第二功率二极管同向并联且其公共阴极分别与第一功率MOSFET的漏极、第一电阻的一端以及升压电路相连，第一功率二极管与第二功率二极管的公共阳极分别与滤波电路、第三功率二极管以及第四功率二极管的公共阴极相连，第三功率二极管以及第四功率二极管同向并联且其公共阳极分别与第二功率MOSFET的源极以及第一电阻的两端，所述第一至第四功率二极管构成第一桥臂，所述第一功率MOSFET与第二功率MOSFET串联并构成第二桥臂，该第二桥臂的中点与滤波电路相连。

3.根据权利要求2所述的桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器，其特征是，所述的滤波电路包括：交流电容，该交流电容的一端分别与单相电源的火线以及整流电路相连，其另一端与单相电源的零线以及整流电路中第一与第二功率MOSFET构成的另一桥臂中点相连。

4.根据权利要求2所述的桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器，其特征是，所述升压电路包括：升压电感、两个功率MOSFET、电解电容和电阻，其中：第一升压电感的一端与整流电路相连，其另一端分别与第三功率MOSFET的漏极以及第四功率MOSFET的源极相连，第四功率MOSFET的漏极依次与第一电解电容的阳极、负载电阻的一端以及负载相串联，第三功率MOSFET的源极依次与第二电阻的另一端、第一电解电容的阴极、负载的另一端以及电源地相串联。