[实用新型]一种低功耗硅单晶生长热场装置

权利要求书

1.一种低功耗硅单晶生长热场装置，包括单晶炉壁(1)、保温装置(2)、单晶炉底板(3)、保温碳毡(4)、热场底板(5)、石英护套(6)、石墨护套(7)，其特征在于：在保温装置(2)和保温碳毡(4)之间增加了支撑构件，从上至下依次为保温装置(2)、支撑构件、保温碳毡(4)。

2.如权利要求1所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：支撑构件由支撑座(9)和定位环(8)组成，支撑座(9)位于定位环(8)之上。

3.如权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：所述的支撑座(9)是3-20个的实心构件(10)，或环状构件(11)。

4.如权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：在单晶炉底板(3)上安装有可调节高度的保温碳毡(4)，保温碳毡(4)上设有定位环(8)，定位环(8)内设有下限位槽，定位环(8)通过下限位槽固定支撑座(9)的下端。

5.如权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：所述的热场底板(5)的下端设有上限位槽，热场底板(5)通过上限位槽固定支撑座(9)的上端。

6.权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：所述的定位环(8)与单晶炉壁(1)之间的距离为0～30mm。

7.权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：所述的定位环(8)是石墨材料。

8.权利要求2所述的一种低功耗硅单晶生长热场装置，其特征在于：所述的支撑座(9)是耐高温、绝热性好的陶瓷材料，所述的支撑座(9)是氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化硼、氮化铝或氮化硅材料。