[实用新型]高温共烧陶瓷封装LED集成光源无效
申请号: | 201020296110.4 | 申请日: | 2010-08-16 |
公开(公告)号: | CN201787385U | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 金明生;葛永权;綦明 | 申请(专利权)人: | 金明生 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V9/10;H01L33/64;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56;F21Y101/02 |
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地址: | 322000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 陶瓷封装 led 集成 光源 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LED光源,尤其是涉及一种高光效、高导热性的高温共烧陶瓷封装LED集成光源。
背景技术
超高亮度LED光源具有发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠及环保等优点,因此得到越来越广泛的应用,并有取代老式白炽灯、卤素灯、日光灯和HID灯的趋势。目前,1-3瓦的超高亮度LED光源的制作技术已经相对成熟,但这些光源在实际应用过程中存在着衰减快、强眩光的问题。
发明内容
本实用新型提供了一种高效高导热性的高温共烧陶瓷封装LED集成光源,解决现有技术中存在的衰减快、强眩光等的技术问题。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:一种高温共烧陶瓷封装LED集成光源,包括高温共烧陶瓷封装基板和其上设有的若干LED芯片,其特征在于:所述的高温共烧陶瓷封装基板上设有围坝胶,在围坝胶内间隔设有条状的导电焊盘,所述的LED芯片设于相邻两个导电焊盘之间且LED芯片的两个接引电极接于其两侧的导电焊盘,所述的围坝胶内还涂设有光学硅胶层。LED芯片设于导电焊盘之间且与其两侧的导电焊盘连接,结构简单,装配较为方便。高温共烧陶瓷封装基板具有很好的导热特性,热导率达22W·m-1·K-1,可将LED产生的热量及时传导致外围散热器上,有效地解决了LED散热通道上的瓶颈,因而本实用新型具有较好的导热性。在LED芯片外围设置具有较高反射率的围坝胶,有利于提高本实用新型的光效,实际可达到到100lm/W。在围坝胶内,高折射率混有高转换效率荧光粉的光学硅胶层涂覆在芯片表面,加大了光源的出光面积,有效地解决了现有大功率LED较强的眩光问题,使光线更加柔和。
作为优选,所述的围坝胶为方形。围坝胶为方形围设在LED芯片四周,有利于提高本实用新型的光效。
作为优选,所述的导电焊盘为等长设置,且两两导电焊盘之间为相互平行设置。电焊盘之间为相互平行设置,有利于LED芯片的分布排列。
因此,本实用新型相比现有技术具有以下特点:1.结构简单,设计合理,制造方便,成本较低便于规模化生产;2.高温共烧陶瓷封装基板的使用,使LED芯片产生的热量能很快的传导至外部散热器上,降低LED芯片的结温;3.在围坝胶内,高折射率混有高转换效率荧光粉的光学硅胶层涂覆在芯片表面,加大了光源的出光面积,有效地解决了现有大功率LED较强的眩光问题,使光线更加柔和。
附图说明
附图1是本实用新型的一种结构示意图;
附图2是附图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1:见图1、图2,一种高温共烧陶瓷封装LED集成光源,包括高温共烧陶瓷封装基板1和其上设有的若干LED芯片2,高温共烧陶瓷封装基板1为正方形,边长为18毫米。高温共烧陶瓷封装基板1上设有围坝胶3,围坝胶3为方形。LED芯片外围设置具有较高反射率的围坝胶,有利于提高本实用新型的光效,实际可达到到100lm/W。在围坝胶3内间隔设有4根条状的导电焊盘4,导电焊盘4为等长设置,且两两导电焊盘4之间为相互平行设置。LED芯片2共设有36个,LED芯片2分3排设于相邻两个导电焊盘4之间且LED芯片2的两个接引电极接于其两侧的导电焊盘4,LED芯片设于导电焊盘之间且与其两侧的导电焊盘连接,结构简单,装配较为方便。在围坝胶3内还涂设有光学硅胶层5,光学硅胶层5具有高折射率,且在光学硅胶层混了一些高转换效率的荧光粉,涂覆在LED芯片2的表面,加大了光源的出光面积,有效地解决了现有大功率LED较强的眩光问题,使光线更加柔和。
本实用新型可改变为多种方式对本领域的技术人员是显而易见的,这样的改变不认为脱离本实用新型的范围。所有这样的对所述领域技术人员显而易见的修改将包括在本权利要求的范围之内。
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