[实用新型]CMOS-MEMS电容式传声器芯片

权利要求书

1.一种CMOS-MEMS电容式传声器芯片，其IC电路部分采用标准CMOS工艺制作；其MEMS部分包括具有贯通孔的基底、设置在基底上方与基底对应的振膜支撑层、覆盖于振膜支撑层上方的振膜、设置在振膜上方的背极支撑层和设置在背极支撑层上方的背极，其特征在于：

在所述振膜的边缘地区设置有与所述振膜同心的环状的纹膜。

2.按照权利要求1所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

在所述振膜上纹膜的内部设置有径向凸起或凹陷结构的振膜加强筋；

在所述振膜加强筋的上方还设置有径向凸起或凹陷结构的背极加强筋。

3.按照权利要求2所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

所述振膜在基底上方内侧位置设置有将振膜的中间与所述基底贯通孔相对应的部分与振膜周围部分断开的振膜隔断。

4.按照权利要求3所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

所述背极在背极支撑层内侧对应的位置设置有使背极中央部分和周围部分断开的环形隔断。

5.按照权利要求4所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

在所述振膜和所述背极的延伸部还分别设置有用于实现所述电容式传声器芯片与外部电路的电连接的振膜引出电极和背极引出电极。

6.按照权利要求5所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

在所述背极上还设置有贯通的声孔，其中设置在背极周边部分的声孔的开孔稍大于设置在背极中央部分的声孔的开孔。

7.按照权利要求6所述的电容式传声器芯片，其特征在于，

所述背极为导电材料或包含导电材料的复合层。