[实用新型]非矩形发光芯片

权利要求书

1.一种非矩形的发光的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，所述的半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；所述的电极包括N-电极和P-电极；所述的半导体外延层形成在所述的外延生长衬底上，所述的N-电极和P-电极分别形成在所述的N-类型限制层和P-类型限制层上；其特征在于，所述芯片的顶视形状是非正方形或非矩形。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征是，所述的芯片的侧面的形状是非矩形。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征是，所述的芯片的侧面的形状是从一组形状中选出，该组形状包括梯形和倒梯形。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征是，所述芯片的顶视形状是从一组形状中选出，该组形状包括，三角形、四边形、五边形、六边形、七边形，和八边形。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征是，所述的芯片的顶视图是平行四边形。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征是，所述的平行四边形芯片的相邻两边的长度的比例在0.1到10之间。

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征是，所述的平行四边形的芯片的相邻的两边的长度的比例等于1。

8.根据权利要求5所述的芯片，其特征是，所述的平行四边形芯片其最大的内角要大于100°，或大于120°；或者在100-150°之间。

9.根据权利要求4所述的芯片，其特征是，所述的三角形芯片，其最大的内角要大于100°，或大于120°；或者在100-150°之间。

10.一种非矩形的发光的芯片，包括衬底、N-电极和P-电极，N-类 型限制层，发光层，P-类型限制层；其特征在于，所述芯片的顶视形状是非正方形或非矩形。