[实用新型]一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片

权利要求书

1.一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：以锗单晶片(1)为衬底依次生长底电池p-Ge、n-Ge(2)，成核层GaAs(3)，缓冲层GaInAs(4)，第一势垒层n-GaInAs(5)，第一隧道结n++AlGaAs、p++GaInAs(6)，第二势垒层p+GaInAs(7)，第二结电池p-GaInAs、n-GaInAs(8)，第一窗口层n+AlGaInP/AlInAs(9)，第二隧道结n++GaInAs、p++AlGaAs(10)，第三势垒层p+GaInP(11)，第三结电池p-GaInP、n-GaInP(12)，第二窗口层n+AlPSb(13)，第三隧道结n++AlPSb、p++AlPSb(14)，第四势垒层n+AlPSb(15)，第四结电池p-AlPSb、n-AlPSb(16)，第三窗口层n+AlPSb(17)，第四隧道结n++ZnSSe、p++ZnSSe(18)，第五势垒层n+ZnSSe(19)，顶电池p-ZnSSe、n-ZnSSe(20)，第四窗口层n+ZnSSe(21)，欧姆接触层n+ZnSSe(22)。