[实用新型]一种射频功率放大器无效
| 申请号： | 201020504715.8 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN201726370U | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 彭凤雄;赵明付 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516023 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频功率放大器，包括与射频输入信号连接的第一放大模块、与射频输出信号连接的第二放大模块，及连接于两放大模块之间的匹配网络，其特征在于，所述第一放大模块采用CMOS工艺器件，所述第二放大模块采用GaAs工艺器件。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，进一步包括功率控制电路，所述控制电路与第一放大模块、第二放大模块均连接；功率控制电路设有为电池供电的电压端VBATT、功率控制电压端VRAMP及使能信号端ENABLE。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率控制电路均采用CMOS器件。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述控制电路与第一放大模块集成于一芯片内。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述CMOS功率控制电路内还集成有用于维持射频功率放大器在不同温度情况下性能的一致性的温度补偿电路。
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