[实用新型]热插拔电路无效
申请号: | 201020506163.4 | 申请日: | 2010-08-23 |
公开(公告)号: | CN201773395U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 杨君东;彭子欣 | 申请(专利权)人: | 英业达科技有限公司;英业达股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 201114*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热插拔 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电路,且特别涉及一种可支持热插拔的电路。
背景技术
随着计算机与即时通信设备的技术发展,越来越多的可即时通信装置需支持热插拔(HOT-PLUG)的工作方式,如移动硬盘、闪存、鼠标以及键盘等,其电路结构中设计一个支持热插拔的电路。而传统的热插拔电路中,一般会采用NMOS晶体管作为主要元件来设计热插拔电路。又由于NMOS晶体管的特点在于,当其栅极与源极之间的电压差值Vgs大于其门限电压时,NMOS晶体管打开;当其栅极与源极之间的电压差值Vgs小于其门限电压时,NMOS晶体管关闭。然而,在实际情形中,NMOS打开,这时NMOS的源极的电压也开始升高,如果栅极电压升高的比源极快,则Vgs的电压值持续升高;但如果源极电压升高比栅极快,则Vgs在NMOS打开的瞬间会降低,当低于门限电压后NMOS又关闭,则Vgs又将升高至大于该NMOS的门限电压,NMOS又打开,如此反复,NMOS源极电压非线性升高,会不断的打开和关闭。故,该热插拔电路输出的电压值不稳定,由此将会造成应用该热插拔电路的设备工作不稳定。
有鉴于此,有必要提出一种新的热插拔电路结构,可以解决上述采用NMOS晶体管设计热插拔电路导致输出电压不稳定的问题。
实用新型内容
因此,本实用新型的首要目的,在于提出一种热插拔电路结构,可以解决上述热插拔电路输出电压不稳定的问题。
根据本实用新型的一个实施例,提出了一种热插拔电路,应用于电子设备中以实现向一热插拔装置的供电,包括:
一第一晶体管,具有第一栅极、第一源极以及第一漏极,该第一源极电性连接该电子设备的一第一系统电压;
一第二晶体管,具有第二栅极、第二源极以及第二漏极,所述第二源极与该第一栅极电性连接,所述第二源极电性连接该电子设备的该第一系统电压;以及
一电压转换模块,具有第一端与第二端,该第一端与该第二晶体管的第二栅极电性连接,当该热插拔装置插入该电子设备时,该第二端接收该电子设备的一供电信号,并且该第一端输出一第二系统电压;
其中,当所述电压转换模块的该第一端输出该第二系统电压时,该第二晶体管的第二栅极接收该第二系统电压,该第一晶体管的第一漏极输出该第一系统电压,该电子设备对该热插拔装置进行供电。
优选地,所述热插拔电路还包括一第三晶体管,所述第三晶体管具有一第三栅极、一第三源极以及一第三漏极,所述第三栅极与第一栅极电性连接,所述第三源极与第一源极电性连接,以及所述第三漏极与第一漏极电性连接。此外,所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管均为PMOS晶体管。
优选地,所述热插拔电路还包括一第一电容,所述第一电容具有一第一端与一第二端,所述第一端与所述第一晶体管的第一源极电性连接,所述第二端与所述第一晶体管的第一栅极电性连接。此外,所述热插拔电路还包括:一第一电阻,具有一第三端与一第四端,所述第三端与所述第一电容的第二端以及所述第一晶体管的第一栅极电性连接;以及一第二电阻,具有一第五端与一第六端,所述第五端与所述第一电容的第一端以及所述第一晶体管的第一源极电性连接。此外,第一电阻具有第一阻值,第二电阻具有第二阻值,所述第一阻值大于所述第二阻值。
优选地,所述热插拔电路进一步具有一第一连接器,其电性连接该第一晶体管的第一漏极,以及该热插拔装置进一步具有一第二连接器,当该热插拔装置插入该电子设备时,该第一连接器与该第二连接器电性连接,该电压转换模块的该第二端接收该供电信号。
优选地,所述热插拔电路还包括第三电阻,具有第七端与第八端,并且所述第七端与所述第二晶体管的第二栅极电性连接。在一实施例中,所述第三电阻具有第三阻值,所述第三阻值等于所述第一阻值。在另一实施例中,所述第二晶体管的第二栅极及所述第三电阻的第七端与一输入电路电性连接,以接收第二系统电压值。
本实用新型的热插拔电路结构,可以解决现有技术中的热插拔电路输出电压不稳定的问题。
附图说明
为让本实用新型上述目的和其它特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:
图1是本实用新型一个实施例中的热插拔电路结构示意图;以及
图2是图1所示热插拔电路及其晶体管工作电压波形图。
【主要组件符号说明】
Q1:第一晶体管
Q2:第二晶体管
Q3:第三晶体管
R1:第一电阻
R2:第二电阻
R3:第三电阻
C1:第一电容
具体实施方式
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