[实用新型]防信号干扰装置及包含该防信号干扰装置的溅射机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种防信号干扰装置及包含该防信号干扰装置的溅射机台。

背景技术

溅射是一种等离子工艺，在溅射过程中，惰性气体离子加速冲向靶，从靶中移出材料粒子。这些粒子构成蒸气柱，凝结在衬底上。在半导体工艺中，溅射是金属化层淀积的主要方法。溅射机台是实现溅射工艺的设备，其核心部件有真空系统、射频/直流电源和匹配网络等。

溅射机台的外壳顶部设置有电磁共效马达(magnet rotationmotor)，所述电磁共效马达为溅射机台提供持续的电磁场能，所述电磁共效马达周围设置有一些线缆。在溅射机台的日常工作中，所述线缆容易移动到所述电磁共效马达旁边，与电磁共效马达接触并发生一定的摩擦，从而导致所述线缆的包皮发生磨损，往往会因此而带来射频泄露问题。射频泄露会产生一些信号干扰事件，由此，溅射机台中一些通过信号控制的部件会受到影响，其所接收到的信号由于受信号干扰而发生错误，错误的控制信号将导致受控制的部件发生误操作。在半导体工艺中，曾发生过一些严重的射频泄露事件，由于操作人员不知道已发生信号干扰问题，正常操作机台，导致待处理晶圆没有受到应有操作步骤的正确处理，发生受损，造成很大的损失。

由此，防止线缆包皮发生摩擦损耗，从而防止射频干扰，成了一个亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种防信号干扰装置及包含该防信号干扰装置的溅射机台，以解决线缆发生摩擦损耗，产生射频干扰的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种防信号干扰装置，所述防信号干扰装置包括：第一金属壳体，第二金属壳体，所述第一金属壳体构成第一容置空间，用以容置电磁共效马达，所述第一金属壳体与第二金属壳体共同构成第二容置空间，用以容置线缆。

可选的，所述第二金属壳体是一个或者数个。

可选的，所述第二容置空间设置在所述第一容置空间内。

可选的，所述第二容置空间设置在所述第一容置空间外。

可选的，所述第一容置空间呈长方体状。

可选的，所述第一容置空间呈挖去一角的长方体状。

可选的，所述第二容置空间呈长方体状。

可选的，所述第二容置空间是水平设置或者竖直设置。

可选的，所述第一金属壳体上设置有把手装置。

本实用新型还提供一种溅射机台，所述溅射机台包括外壳以及设置在所述外壳顶部的电磁共效马达，所述电磁共效马达周围设置有线缆，所述溅射机台还包括防信号干扰装置，所述防信号干扰装置设置在所述外壳顶部，所述防信号干扰装置包括第一金属壳体以及第二金属壳体，所述第一金属壳体构成第一容置空间，用以容置所述电磁共效马达，所述第一金属壳体与所述第二金属壳体共同构成第二容置空间，用以容置所述线缆。

可选的，所述防信号干扰装置通过铆钉或者支架固定在所述溅射机台的外壳顶部。

本实用新型提供一种防信号干扰装置，通过所述防信号干扰装置的第一容置空间容置电磁共效马达，所述第二容置空间容置线缆，将电磁共效马达与线缆分别容置于不同的容置空间，使所述电磁共效马达与所述线缆分隔开，有效防止了所述线缆与电磁共效马达接触并发生摩擦，解决了所述线缆包皮发生摩擦损耗，从而产生射频干扰的问题。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的防信号干扰装置的示意图；

图2是本实用新型实施例二的防信号干扰装置的示意图；

图3是本实用新型实施例三的防信号干扰装置的示意图；

图4是本实用新型实施例四提供的溅射机台的示意图。

具体实施方式

实施例一

请参阅图1，其为本实用新型实施例一的防信号干扰装置的示意图。如图1所示，防信号干扰装置1包括第一金属壳体10，第二金属壳体11，所述第一金属壳体10构成第一容置空间100，用以容置电磁共效马达，所述第一金属壳体10与第二金属壳体11共同构成第二容置空间110，用以容置线缆。通过将电磁共效马达与线缆分别容置于不同的容置空间，使所述电磁共效马达与所述线缆分隔开，有效防止所述线缆与电磁共效马达接触并发生摩擦，避免所述线缆的包皮产生摩擦损耗，解决了射频干扰的问题。

请继续参考图1，在本实施例中，所述第二金属壳体11的数量是一个，即所述第二容置空间110的数量为一个。

所述第二容置空间110设置在所述第一容置空间100内，优选的，所述第二容置空间110竖直设置在所述第一容置空间100内。所述第二容置空间110竖直设置，可方便容置竖直设置的线缆。