[实用新型]一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线

权利要求书

1.一种基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，包括金属接地板(1)、金属微带馈线(3)、金属辐射贴片(4)、第一LTCC陶瓷介质层(2)、第二LTCC陶瓷介质层(6)以及两个短路销钉(5)；金属接地板(1)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)整个下表面，金属微带馈线(3)位于第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介质层(6)之间，金属辐射贴片(4)位于第二LTCC陶瓷介质层(6)上表面；金属辐射贴片(4)的形状为矩形，中间关于金属辐射贴片(4)水平中心线对称地开有两个“L”形槽，两个“L”形槽的水平段相互平行，而垂直段指向远离金属辐射贴片(4)水平中心线的方向；金属微带馈线(3)的首端位于第一LTCC陶瓷介质层(2)窄边中间位置，其末端伸入金属辐射贴片(4)的两个“L”形槽的正下方；其末端与一个双“π”型馈电结构相连；所述双“π”型馈电结构由四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节组成，所述四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节与一段公用垂直微带线相连，其中两条平行于金属微带馈线(3)的较长微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向金属微带馈线(3)首端的大“π”结构，另外两条平行于金属微带馈线(3)的较短微带枝节和公用垂直微带线组成一个指向远离金属微带馈线(3)首端的小“π”结构；所述两个短路销钉(5)位于金属射贴片(4)的两个“L”形槽的垂直段末端，并穿过第一LTCC陶瓷介质层(2)和第二LTCC陶瓷介质层(6)，将金属接地板(1)和金属辐射贴片(4)连在一起。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，其特征在于，所述金属微带馈线(3)是特征阻抗为50欧姆的微带线；所述双“π”型馈电结构中，四条平行于金属微带馈线(3)的微带枝节的特征阻抗为50欧姆，公用垂直微带线特征阻抗为100欧姆。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC陶瓷介质的芯片天线，其特征在于，金属接地板1长14.9mm，宽8mm；第一LTCC陶瓷介质层2长14.9mm、宽8mm、厚0.8mm；第二LTCC陶瓷介质层6长7.8mm、宽8mm、厚1mm；两层LTCC陶瓷介质层相对介电常数是5.9，损耗角正切值是0.002；金属微带馈线3特征阻抗为50欧姆，长10.1mm、宽1.1mm；与微带馈线3末端相连的双“π”型馈电结构中，四条平行于金属微带馈线3的微带枝节的特征阻抗为50欧姆，公用垂直微带线特征阻抗为100欧姆，两条较长微带枝节长1.8mm、宽1.1mm，两条较短的微带枝节长0.9mm、宽1.1mm，公用垂直微带线长5.0mm、宽0.2mm；金属辐射贴片4长7.8mm、宽8.0mm；“L”形槽水平段长3.8mm、宽0.4mm，垂直段长1.3mm、宽0.4mm；两个短路销钉半径为0.3mm。