[实用新型]一种单稳态电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路，尤其涉及一种单稳态电路。

背景技术

在存储器或其他类型控制电路中，经常需要用到一种单稳态(ONESHOT)电路。通常ONESHOT电路的作用是在输入信号的跳变沿口产生一定宽度的脉冲信号，从而利用这个脉冲信号控制其他电路的动作。因此，这个脉冲信号的宽度对设计者来说尤其重要，通常要求ONESHOT电路产生的脉冲信号宽度稳定，受电压、温度等外部环境扰动小，静态功耗低。

如图1所示，ONESHOT电路的基本原理是利用一个延时单元控1’制脉冲的持续时间，即在静止状态时，输入信号A＝0时，输出信号O为低电平，并且电容C1存有一定量的电荷；当输入信号A发生瞬间变化时(由低向高跳变)，由于电容C1上的电荷需要一定时间才能释放掉，因此在一个短时间内，与门1的两个输入信号Vx、Vy都为高电平，此时输出信号O为高电平；当电容C1上的电荷释放到一定程度，输出信号O又回到低电平；这样就在电路的输出端得到一个正的、宽度为td的脉冲信号，通过这个脉冲信号可以检测出输入信号A的上升跳变，此脉冲信号的宽度td决定于电容C1的大小和反相器2’的驱动能力。

延时单元的实现有很多方式，传统电路中多使用RC网络或利用门延时实现。通常情况下为了获得较大的脉冲宽度，需要使用多级延时单元。以产生一个200ns脉冲为例，典型的电路可如图2所示，该电路包括三级反相器链3’结构，这种结构需要两个面积在30um*30um左右的电容C1、C2和三个反相器2’。上述结构虽然可以产生延时脉冲，但是这种结构占用的芯片面积太大，使得生产工艺复杂，成本较高，因此，现在迫切需要对这种电路进行改进。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型旨在提供一种改进的单稳态电路，以实现在产生一定宽度脉冲信号的基础上，大大减少使用的管芯数量和占用的芯片面积的目的。

本实用新型所述的一种单稳态电路，它包括依次连接的一延时单元和一与门，该延时单元的一端接收外部输入信号，另一端与所述与门的一个输入端连接，且该与门的另一个输入端接收所述外部输入信号，所述延时单元包括依次串联在外部电源和地之间的第四MOS管、第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述延时单元还包括一电容，

所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，接收所述外部输入信号，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极相连至所述与门的一个输入端；

所述第三MOS管的栅极与漏极连接；

所述电容的一端与所述与门的一个输入端连接，另一端接地。

在上述的单稳态电路中，所述第四MOS管的源极与所述外部电源连接，其栅极与漏极相连至所述第一MOS管的源极，所述第二MOS管的源极与第三MOS管的漏极连接，该第三MOS管的源极接地。

由于采用了上述的技术解决方案，本实用新型通过采用若干MOS管取代了传统的反向器，尤其利用第三MOS管的栅极和漏极短接的方法实现一个有源电阻的功能，从而控制电容中电荷的释放时间；由于本实用新型中的MOS管始终工作在饱和区，因此只要合理的设置管芯的宽长比，即可以得到比较理想的电荷释放时间，从而得到较宽的延时脉冲。本实用新型中的延时单元在实现传统延时电路同样功能的前提下，有效减少了使用的管芯数量，更大大缩小了占用芯片面积，降低了生产成本，简化了生产工艺；另外，由于采用MOS管，从而使得电路的静态功耗大大减小并且稳定性得到增强。

附图说明

图1是ONESHOT电路的基本原理图；

图2是现有技术中典型ONESHOT电路的结构示意图；

图3是本实用新型一种单稳态电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型的具体实施例进行详细说明。

如图3所示，本实用新型，即，一种单稳态电路，它包括依次连接的一延时单元2和一与门1，该延时单元2的一端接收外部输入信号A，另一端与与门1的一个输入端连接，且与门1的另一个输入端接收外部输入信号A，与门1的输出端输出信号O，其中，延时单元2包括依次串联在外部电源3和地之间的第四MOS管M4、第一MOS管M1、第二MOS管M2和第三MOS管M3，延时单元2还包括一电容C，具体来说：

第四MOS管M4的源极与外部电源3连接，其栅极与漏极相连至第一MOS管M1的源极；

第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极相连，接收外部输入信号A，第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的漏极相连至与门1的一个输入端；