[实用新型]便携式金属探测装置无效

专利信息
申请号: 201020509120.1 申请日: 2010-08-26
公开(公告)号: CN201852950U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 刘家发 申请(专利权)人: 刘家发
主分类号: G01V3/11 分类号: G01V3/11
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233318 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 便携式 金属 探测 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于电子技术、电工技术领域,涉及一种便携式金属探测装置,主要用于探测工作区域是否埋藏金属物体,避免给相关机电设备带来危害。 

背景技术

市场上各种专门用来探测金属物体的仪器可谓种类繁多,功能强大的大型金属探测仪器可用于检测5m以内的人体、行李、包裹内是否藏有枪支、匕首等金属物品,这类探测仪器适用于机场、车站、码头、海关、公安、边防等公共场合对行李物品或人体进行快速安全检查;也有用于探测有金属外壳或金属部件之外,用来探测隐蔽在墙壁内的电线、埋在地下的水管或电缆,甚至能够用于地下探宝或探测埋藏在地下深达5m的金属物体。它们的共同特点是功能强大、探测距离远(地下探测深度大),探测结果可靠、准确。虽然这些金属探测仪器使用效果很好,但普遍存在价格高、难于推广普及等问题。为解决日常遇到相对比较简单的金属物体的探测问题,有必要研究一种电路结构简单、性能可靠、日常使用方便、制作价格低廉的金属探测装置,以弥补大型金属探测仪器的存在的缺陷和不足。 

发明内容

发明目的:本实用新型为解决日常遇到的相对比较简单金属探测问题,可解决和弥补大型金属探测仪器存在的缺陷与不足。 

技术方案:便携式金属探测装置,由电感器(L)制作的探头、三点式电容振荡电路、阻容放大电路、振荡信号检波电路、直流放大电路、探测显示电路、电源滤波电路、电源指示电路等组成,其特征在于:振荡器采用三点式电容振荡电路,振荡信号检波电路采用二倍压整流电路。 

电路工作原理:金属探测装置电路中的主要部分是一个处于临界状态的振荡器,当有金属物体接近电感器(L)制作的探头时,电感线圈中产生的电磁场将在被测金属物体中感应出涡流,这个能量来源于振荡电路本身的损失,相当于电路中增加了损耗。如果有金属物体与电感线圈L很近时,电路中的损耗进一步加大,电感器(L)的Q值降低,使得处于临界振荡状态的振荡电路停止工作,进而控制电路中发光二极管(D3)熄灭。 

在电路中硅三极管(BG1)与外围的电感器(L)和两个电容(C1、C2)构成了一个三点式振荡器。当振荡器电路中硅三极管(BG1)的基极有一正信号时,由于三极管的反向作用使它的硅三极管(BG1)的集电极信号为负。两个电容(C1、C2)的两端的信号极性均是上正下负,信号通过电容(C3)的反馈,硅三极管(BG1)基极上的信号与原来信号同相位, 由于是正反馈,所以电路会产生振荡,在接入电阻(R1)和电位器(RP1)后,将削弱了电路中的正反馈信号的强度,用于控制电路处于刚刚起振的临界状态。 

金属探测装置的振荡频率约为40KHz,振荡频率主要由电感器(L)、两个电容(C1、C2)决定。调节电位器RP1能控制反馈信号的大小,控制电路处在刚刚起振状态。电阻(R2)是硅三极管(BG1)的偏置电阻。微弱的振荡信号通过耦合电容(C4)送到由硅三极管(BG2)、两个电阻(R4、R5)及电容(C5)等组成电压放大器。因放大后的信号幅度仍然比较小,故选用两只二极管(D1、D2)和两只电容(C5、C6)组成二倍压整流电路,整流滤波后的直流电压使硅三极管(BG3)导通,这时硅三极管(BG3)的集电极处于低电平,使发光二极管(D3)得电被点亮。 

当金属探测装置的由电感器(L)制作的探头接近金属物体时,处于振荡临界状态的振荡电路立即停振,通过耦合电容(C4)的信号将会消失,硅三极管(BG3)的基极得不到正向电压,而使硅三极管(BG3)截止,最后使发光二极管(D3)由点亮变为熄灭。 

便携式金属探测装置的电路组成及主要元件的连接关系 

本实用新型由电感器(L)制作的探头、三点式电容振荡电路、阻容放大电路、二倍压整流电路、直流放大电路、探测显示电路、电源滤波电路、电源指示电路组成。 

1.探头和三点式电容振荡电路分别由电感器(L)制作的探头、振荡器电容(C1、C2)、偏置电阻(R2)、振荡信号衰减电阻(R1、RP1)、硅三极管(BG1)和电阻(R3)组成。两个电容(C1、C2)串接后与电阻(R1)的左端相接,两个电容(C1、C2)的另一端分别接电感器(L)的两端,衰减电阻(R1)的右端接电位器(RP1)的左端,电容(C3)的左端分别与电容(C1)、电感器(L)的上端相接,电容(C3)的右端分别与硅三极管(BG1)的基极、电阻(R2)的下端相连,电阻(R2)的上端和硅三极管(BG1)的集电极同接电源正极(VCC),硅三极管(BG1)的发射极分别接电位器(RP1)的右端、耦合电容(C4)的左端和电阻(R3)的上端,电阻(R3)的另一端与电容(C2)的下端均接电路地。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘家发,未经刘家发许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020509120.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top