[实用新型]电容感应式接近控制装置无效
| 申请号： | 201020509123.5 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN201820328U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘家发 | 申请（专利权）人： | 刘家发 |
| 主分类号： | G08B13/26 | 分类号： | G08B13/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233318 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 感应 接近 控制 装置 | ||
1.电容感应式接近控制装置，由探测感应电极、振荡电路、检波电路、直流放大及执行控制电路、电源指示电路、电源滤波电路依次连接组成，其特征是：射频振荡电路由探测感应电极、硅晶体管(BG1)、电感线圈(L1)、可调电容(C2)、负载电阻(R2)组成射频振荡电路；射频检波采用二倍压整流电路。
2.根据权利要求1所述的电容感应式接近控制装置，其特征是：射频振荡电路由探测感应电极、硅晶体管(BG1)、电感线圈(L1)、可调电容(C2)、电阻(R1)、负载电阻(R2)、电容(C1)组成，硅晶体管(BG1)的基极分别接电阻(R1)、电容(C1)的一端，电阻(R1)的另一端接电源的正极(VCC)，电容(C1)的另一端接电路地，硅晶体管(BG1)集电极分别接感应电极、电感线圈(L1)和可调电容(C2)的一端，硅晶体管(BG1)的发射极分别接可调电容(C2)的另一端、耦合电容(C3)的左端和负载电阻(R2)的上端，负载电阻(R2)的下端接电路地。
3.根据权利要求1所述的电容感应式接近控制装置，其特征是：射频检波电路由耦合电容(C3)，两个检波二极管(D1、D2)，滤波电容(C6)组成，耦合电容(C3)的右端分别接第一检波二极管(D1)的负极和第二检波二极管(D2)的正极，第一检波二极管(D1)的正极接电路地，第二检波二极管(D2)的负极分别接滤波电容(C6)的正极和电阻(R3)的左端。
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