[实用新型]随机存储器

权利要求书

1.一种随机存储器，其特征在于，包括：

预存单元，用于储存参考数据；

存储单元，用于储存数据；

读写单元，用于向所述存储单元中写入数据，向所述预存单元写入参考数据；读取所述预存单元储存的参考数据和存储单元储存的数据；以及生成中间数据，所述中间数据与所述存储单元储存的数据和预存单元储存的参考数据相关联；

输出单元，用于比较所述读写单元生成的中间数据与所述参考数据，根据所述中间数据与所述参考数据的大小关系输出存储数据，

所述读写单元耦接存储单元和预存单元，所述输出单元耦接所述读写单元。

2.根据权利要求1所述的随机存储器，其特征在于，所述预存单元包括电荷储存元件，所述存储单元包括至少一个电荷储存元件，所述中间数据与所述存储单元储存的数据和预存单元储存的参考数据相关联是指：中间数据＝(预存单元储存的电荷+存储单元储存的电荷)/(预存单元的电容值+存储单元的电容值)。

3.根据权利要求2所述的随机存储器，其特征在于，所述电荷储存元件为电容器，其一端输入地信号，另一端电连接所述读写单元。

4.根据权利要求2所述的随机存储器，其特征在于，所述电荷储存元件为二极管，其正端输入地信号，负端电连接所述读写单元。

5.根据权利要求2所述的随机存储器，其特征在于，所述读写单元包括复位开关、读写使能开关、偏置电压单元、以及与所述存储单元包括的二极 

管个数相同的存储单元控制开关，其中，

所述复位开关第一极用于输入数据，所述复位开关第二极电连接所述存储单元控制开关的第一极、读写使能开关的控制极和所述预存单元；

所述存储单元控制开关的第二极电连接所述存储单元；

所述读写使能开关的第一极输入电源信号，所述读写使能开关的第二极输出对应于所述中间数据的中间信号，以及对应于所述预存单元内存储的参考数据的参考信号；

所述偏置电压单元电连接所述读写使能开关的第二极，为所述读写使能开关的第二极提供偏置电压。

6.根据权利要求5所述的随机存储器，其特征在于，所述输出单元包括：

二次采样单元，用于获取所述中间信号和所述参考信号；

比较单元，用于比较所述中间信号和参考信号，所述比较单元耦接所述二次采样单元。

7.根据权利要求5所述的随机存储器，其特征在于，所述复位开关、所述读写使能开关和所述存储单元控制开关为MOS晶体管开关，其栅极为控制极，漏极和源极分别为第一极和第二极。

8.根据权利要求7所述的随机存储器，其特征在于，所述存储单元包括至少两个电荷储存元件，

所述存储单元控制开关围绕一个点对称分布，对称分布的存储单元控制开关共用同一第一极区；所述存储单元的电荷储存元件围绕所述点对称分布，所述存储单元的电荷储存元件为二极管，其N型半导体层和所述存储单元控制开关的第二极区共用。

9.根据权利要求7所述的随机存储器，其特征在于，所述预存单元的电 荷储存元件为二极管，其N型半导体层和所述存储单元控制开关的第一极区共用，P型半导体层为P型衬底。

10.根据权利要求4或8或9所述的随机存储器，其特征在于，所述二极管为感光二极管，其表面覆盖有遮光层。

11.根据权利要求10所述的随机存储器，其特征在于，所述感光二极管的N型半导体层内具有利用钉扎工艺在所述N型半导体层内形成的P型半导体层。