[实用新型]一种新型N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构无效
| 申请号： | 201020513231.X | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN201845767U | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 徐永才 | 申请（专利权）人： | 徐永才 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/11 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 王玉国;陈忠辉 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 基材 二极管 共阳半桥 to 220 中的 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构，其特征在于：包括一块绝缘导热的氧化铝陶瓷基板，所述氧化铝陶瓷基板的正面设置有两块相互独立的金属层，氧化铝陶瓷基板的反面设置有至少一块金属层，氧化铝陶瓷基板反面的金属层与散热板相连接，氧化铝陶瓷基板正面的两块金属层分别与左侧引线和右侧引线相连接，两只二极管的N极分别连接在左侧引线和右侧引线上，为两个阴极，两只二极管的P极分别通过铝线连接在中间引线上，为共阳极。
2.根据权利要求1所述的一种新型N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构，其特征在于：所述的二极管为肖特基二极管或快恢复二极管。
3.根据权利要求1所述的一种新型N基材二极管共阳半桥在TO-220中的封装结构，其特征在于：所述的氧化铝陶瓷基板反面的金属层与散热板之间通过Sb5Pb92.5Ag2.5焊料烧结连接，所述的氧化铝陶瓷基板正面的两块金属层与左侧引线和右侧引线之间均通过Sb5Pb92.5Ag2.5焊料烧结连接。
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