[实用新型]太阳能硅片湿法自动分片装置有效

专利信息
申请号: 201020515093.9 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN201820777U 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 董维来;孙红喆;陈伟;孙建中 申请(专利权)人: 董维来
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽英
地址: 300459 天津市塘*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 太阳能 硅片 湿法 自动 分片 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能硅片(以下简称硅片)分片装置,特别是涉及一种硅片湿法自动分片装置。

背景技术

随着太阳能行业飞速发展,使得硅片的需求量日益增加,在完成切割、脱胶之后的硅片需要将单片装入夹具中以便于后续工序处理,传统的方法是手工分片装入夹具,然而手工分片容易对硅片造成污染并且破片率高。而且在工业化高速发展的当今时代,手工操作已经不能满足行业的需求,这就需要一种自动分片装置,目前尚无该类装置出现。

发明内容

本实用新型的目的在于克服已有技术的缺点,提供一种可以将叠在一起的硅片逐片分开并运送出去的自动分片装置。

太阳能硅片湿法自动分片装置,它包括用于放置硅片的供料组件、用于分离硅片的气液混合喷射组件和用于搬运硅片的吸附传送组件,所述的气液混合喷射组件安装于供料组件正前方,吸附传送组件安装于供料组件正上方,所述的供料组件包括放置硅片用的硅片装载夹具,所述硅片装载夹具底部与设置在主安装板上方的平移板相连,所述平移板与带动平移板沿垂直方向运动的平移装置相连,所述的吸附传送组件包括与传送带驱动装置相连的传送带,所述传送带安装在传送带安装板的两侧,所述传送带安装板与水平方向成20°-30°夹角设置并且其后端与硅片装载夹具后端齐平设置,传送带安装板上装有抽水管接头,传送带安装板面向电池片侧安装有开有多个孔洞的吸附板,吸附板上的孔洞与抽水管接头相通,所述传送带安装板通过连接装置安装在主安装板上,所述气液混合喷射组件包括第一、二两个高压水喷嘴,在所述的第一高压水喷嘴的前下方设置有第一高压空气鼓泡装置,在所述的第二高压水喷嘴的前下方设置有第二高压空气鼓泡装置。

本实用新型的有益效果和优点在于:将待分硅片放置在水中,避免了硅片暴露在空气中受到污染及氧化、且采用负压吸取和传送带实现全程柔性接触,进一步降低了碎片率,同时减少了人为因素引入的硅片污染。

附图说明

图1是本实用新型的太阳能硅片湿法自动分片装置总体结构示意图;

图2是图1所示的装置中的供料组件结构示意图;

图2-1是图2所示的装置中平移驱动装置的结构示意图;

图3是图1所示的装置中的气液混合喷射组件结构示意图;

图3-1是图3所示的装置中的气液混合喷射效果示意图;

图4是图1所示的装置中的吸附传送组件结构示意图;

图4-1是图4所示的装置中的吸附传送组件仰视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述。

如图1所示,太阳能硅片湿法自动分片装置包括用于放置硅片的供料组件1、用于分离硅片的气液混合喷射组件3和用于搬运硅片的吸附传送组件2,优选的三部分组件中心轴线重合设置。气液混合喷射组件3安装于硅片的供料组件1正前方。吸附传送组件2安装于供料组件1正上方,与水平面成20°-30°夹角并且吸附传送组件的后端与供料组件1后端齐平。

如图2所示,供料组件1包括放置硅片用的硅片装载夹具1-2,待分离的硅片1-1成叠放置于硅片装载夹具1-2上,硅片装载夹具1-2固定于平移板1-5上,平移板1-5设置在主安装板1-3上方。平移板1-5由平移驱动装置1-4驱动可沿垂直方向运动。平移驱动装置1-4可以如图2-1所示,图中直线马达1-6带动与平移板相连的顶杆1-8运动,以实现平移板上下运动,主安装板1-3底部设置密封组件1-7以防止槽内液体漏出。工作过程中,上层硅片被取走后平移驱动装置带动平移板向上移动,从而补偿被取走硅片留下的高度空隙,为吸取后续硅片做准备。

如图3所示,所述气液混合喷射组件3包括第一、二两个高压水喷嘴3-1、3-2和两组高压空气鼓泡装置3-3,3-4。第一高压空气鼓泡装置设置在所述的第一高压水喷嘴的前下方,第二高压空气鼓泡装置设置在所述的第二高压水喷嘴的前下方。

如图3-1所示工作时第一高压水喷嘴3-1将加压后的水沿竖直方向呈扇面喷出,水流与第一高压水喷嘴3-1前下方的第一高压空气鼓泡装置3-3所产生的气泡混合,形成第一气液混合射流3-6,同理:第二高压水喷嘴3-2与第二高压空气鼓泡装置3-4配合形成第二气液混合射流3-5。第一和第二气液混合射流3-6,3-5共同冲击其前方的待分离硅片1-1,气液混合射流进入待分离硅片1-1间的缝隙,在被射入的空气的浮力作用下上层的硅片漂浮成图3-1所示所示状态,硅片被成功分离。

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