[实用新型]覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置无效

专利信息
申请号: 201020517689.2 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN201866552U 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 吴明番;柴永芳 申请(专利权)人: 吴明番
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V8/00;F21V19/00;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 覆盖 光学 led 光源 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,它包含LED点光源(1)、发光器(2)、散热器(3),其特征在于:

所述的发光器(2),是指在外表面覆盖有光学膜层的光学透明实心几何体(4);

所述的实心几何体(4),至少有一个外表面是入射面(5),至少有一个外表面是出光面(6);

所述发光器(2)的实心几何体(4)外表面上,至少含有一层亚微米或纳米颗粒的介质膜材料光学膜层,膜层厚度在91nm~5mm;

所述的LED点光源(1)固定在散热器(3)上,与发光器(2)的入射面(5)相匹配。

2.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的光学膜层是厚度在0.01mm~5mm的固态光学介质厚膜层。

3.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的光学膜层是由一层以上的介质光学膜材料组成的功能性光学介质薄膜层。其膜层的光学厚度为91nm的奇数倍到195nm的奇数倍。

4.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的LED点光源(1)中含有365nm~410nm波长的LED芯片,所述的实心几何体(4)的出光面,覆盖的是膜层厚度在0.1mm~3mm的光触媒膜层(11),或是膜层的光学厚度为91.25nm的奇数倍到102.5nm的奇数倍的光触媒膜层(11)。

5.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述实心几何体(4)侧入式发光器的出光面,覆盖的是高折射率膜层(9),所述的高折射率膜层(9)是膜层厚度在0.01mm~1mm、透光率>90%的光学固态介质厚膜层;或是折射率大于实心几何体的折射率,膜层光学厚度是126nm的奇数倍到139nm的奇数倍、透光率>90%的功能性光学介质薄膜层;或是光学厚度是126nm的奇数倍到139nm的奇数倍、透光率>90%的纳米二氧化钛光学膜层。

6.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述实心几何体(4)直下式发光器的出光面,覆盖的是扩散膜层(10),所述的扩散膜层(10)是膜层厚度在1mm~5mm、雾度>80%、扩散率>0.6、透光率>80%的固态光学介质厚膜层:或是膜层厚度在0.1mm~3mm的荧光粉固态光学介质厚膜层;或是膜层厚度在1mm~3mm的二氧化硅或轻质硫酸钡固态光学介质厚膜层。

7.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的入射面(5),覆盖的是低折射率膜层(8),所述的低折射率膜层(8)是折射率小于实心 几何体材料折射率的入射膜,其膜层光学厚度是126nm的奇数倍到139nm的奇数倍;或是MgF2、ZrO2、CeF3,膜的光学厚度分别为126nm到139nm、253nm到277nm、126nm到139nm的三层宽带增透膜。

8.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的实心几何体(4)的反射面(7),覆盖的是反射膜(12),所述的反射膜(12),是ZrO2+SiO2多层反射膜系,其每层膜的光学厚度分别是126nm的奇数倍到139nm的奇数倍;或是每层光学厚度均为126nm~139nm的高、低折射率交替的介质材料多层反射膜;或是棱镜反射膜;或是嵌入在反射面(7)内的反射率大于90%的反射膜片;或是粘贴在反射面(7)上的反射率大于90%的反射膜片。

9.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的实心几何体(4)是实心多面体、实心旋转体或相互结合成的异型实心几何体。

10.根据权利要求1所述的一种覆盖有光学膜层的LED面光源发光装置,其特征在于:所述的LED点光源(1)是预制的光源模组或是直接将LED芯片集成绑定在散热器上的LED线光源或扩展光源。 

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