[实用新型]一种光纤对接装置无效

专利信息
申请号: 201020519978.6 申请日: 2010-09-07
公开(公告)号: CN201859232U 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 杜兵 申请(专利权)人: 西安金和光学科技有限公司
主分类号: G02B6/38 分类号: G02B6/38
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地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 对接 装置
【权利要求书】:

1.一种光纤对接装置,其特征在于:包括一由记忆合金材料构成的管状结构,管状结构的两端是锥形的光纤导入口,管状结构内孔的初始内径DT1、低温扩张后内径DT2与光纤的关系是:

[ 1 - (1-S)× K ]× DF < DT1 < DF               (1)

DF  < DT2  < DF × ( 1+ S×K )                (2)

D是对接时光纤的外径,K是由记忆合金材料构成的管状结构的形状记忆应变系数,S是选取的比例系数。

 

2.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:沿所述的管状结构的轴向在管状结构上有一道开口缝隙。

3.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构内孔中含有折射率匹配液或折射率匹配凝胶。

4.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:有两个及两个以上的管状结构并排构成阵列管状结构。

5.按照权利要求4所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的阵列管状结构的两边有定位孔或导杆。

6.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构的形状记忆效应是磁敏诱导型。

7.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是具有双程可逆形状记忆效应。

8.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是由记忆合金薄膜构成。

9.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是由厚度大于100微米的记忆合金薄板经弯曲或轧制构成。

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