[实用新型]一种光纤对接装置无效
申请号: | 201020519978.6 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN201859232U | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 杜兵 | 申请(专利权)人: | 西安金和光学科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/38 | 分类号: | G02B6/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光纤 对接 装置 | ||
1.一种光纤对接装置,其特征在于:包括一由记忆合金材料构成的管状结构,管状结构的两端是锥形的光纤导入口,管状结构内孔的初始内径DT1、低温扩张后内径DT2与光纤的关系是:
[ 1 - (1-S)× K ]× DF < DT1 < DF (1)
DF < DT2 < DF × ( 1+ S×K ) (2)
DF 是对接时光纤的外径,K是由记忆合金材料构成的管状结构的形状记忆应变系数,S是选取的比例系数。
2.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:沿所述的管状结构的轴向在管状结构上有一道开口缝隙。
3.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构内孔中含有折射率匹配液或折射率匹配凝胶。
4.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:有两个及两个以上的管状结构并排构成阵列管状结构。
5.按照权利要求4所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的阵列管状结构的两边有定位孔或导杆。
6.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构的形状记忆效应是磁敏诱导型。
7.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是具有双程可逆形状记忆效应。
8.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是由记忆合金薄膜构成。
9.按照权利要求1所述的一种光纤对接装置,其特征在于:所述的管状结构是由厚度大于100微米的记忆合金薄板经弯曲或轧制构成。
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