[实用新型]一种整流二极管无效
申请号: | 201020522061.1 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN201788976U | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 | 申请(专利权)人: | 四川太晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 629000 四川省遂宁市开发*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 整流二极管 | ||
1.一种整流二极管,包括芯片和引出电极,所述芯片具有P区、N区及其形成的PN结,所述引出电极分别与P区和N区相连,其特征在于,所述P区和N区并排于所述芯片同一面,所述P区和N区横向相交形成PN结,所述引出电极位于所述芯片同一面。
2.根据权利要求1所述的一种整流二极管,其特征在于,所述P区和N区厚度相同。
3.根据权利要求2所述的一种整流二极管,其特征在于,所述P区和N区厚度与芯片厚度相同。
4.根据权利要求3所述的一种整流二极管,其特征在于,所述P区或N区为所述芯片的一部分。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的一种整流二极管,其特征在于,所述芯片为单晶硅芯片。
6.根据权利要求5所述的一种整流二极管,其特征在于,所述芯片厚度<0.25mm。
7.根据权利要求6所述的一种整流二极管,其特征在于,所述芯片厚度=0.2mm。
8.根据权利要求1~4任意一项所述的一种整流二极管,其特征在于,所述芯片厚度<0.25mm。
9.根据权利要求8所述的一种整流二极管,其特征在于,所述芯片厚度=0.2mm。
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