[实用新型]由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路

权利要求书

1.由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路，包括支持纳瓦技术的具有1-8脚的MCU(8)，其特征在于，它还包括与射频卡通讯的谐振电路(1)、检波电路(2)、基准电压提供电路(3)、比较接口(4)和电源管理接口(7)；

所述谐振电路(1)包括相互串接的电感L1和电容C1；

所述检波电路(2)包括二极管D1、电容C2、电容C3、电容C4和电阻R5；

所述电容C1的一端接地，另一端分别于所述电感L1和二极管D1的正极端相连；所述电容C2和电阻R4的一端分别接地，电容C2和电阻R4的另一端分别于二极管D1的负极端和电阻R5的一端相连；电容C3和电容C4串接在电阻R5的后端，电容C4的尾端接地；在电容C3和电容C4之间有B接点；

所述基准电压提供电路(3)包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C5和基准电压源；电阻R6、电阻R7、电阻R8和电容C5的一端共同连接于A接点，电容C5的另一端接地，电阻R8的另一端连接所述基准电压源，电阻R7的另一端接地，电阻R6的另一端分别连接所述B接点；

所述比较接口(4)包括所述MCU的2、3脚，所述2脚连接所述A接点，所述3脚连接所述B接点；

所述电源管理接口(7)包括所述MCU的1、8脚；

所述MCU(8)的4脚连接所述电感L1。

2.根据权利要求1所述的由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路，其特征在于，它还包括串接在电感L1和所述MCU的4脚之间的放大电路(6)，所述放大电路(6)包括NPN型的三极管Q1、PNP型的三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R14和基准电压源，电阻R14的一端与所述所述MCU的4脚相连，电阻R14的另一端分别与三极管Q1、三极管Q2的B极并接，三极管Q2的C极接地，电阻R1和电阻R2串接在三极管Q1的E极和三极管Q2的E极之间，电阻R1和电阻R2之间有C接点，所述C接点连接所述电感L1。

3.根据权利要求1所述的由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路，其特征在于，它还包括外部设备连接口(5)，所述外部设备连接口(5)为所述MCU的6、7脚。