[实用新型]一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器无效

专利信息
申请号: 201020522921.1 申请日: 2010-09-07
公开(公告)号: CN201910309U 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 白国义;夏国发;王成会;刘彦儒;张宝玉;张晞;周若厅;赵东辉 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司;中国石油天然气管道局
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00
代理公司: 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 11013 代理人: 金杰;任清汉
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 管道 端口 缓冲 消磁 控制器
【权利要求书】:

1.一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器,其特征是它由可控硅预稳压电路、逆变主控电路、整流器、调节器、磁场检测模块、显示面板、保护电路组成;来自电网的电源接可控硅预稳压电路,可控硅预稳压电路输出接逆变主控电路,同时输出接显示面板的手动调节输出接逆变主控电路,接检测探头输出的磁场检测模块输出也接逆变主控电路,逆变主控电路输出接整流器,整流器输出有三路:一路接保护电路,保护电路输出接可控硅预稳压电路和逆变主控电路,一路接显示面板,另一路接输出至第一消磁线圈和第二消磁线圈;

来自电网的电源经由可控硅预稳电路稳压后输出250V左右直流电压,供电给逆变主控电路,并经LC滤波后给辅助电源和功率输出电源供电,逆变主控电路产生PMW控制信号,分频器电路驱动功率输出管,经变压器降压后整流输出,驱动励磁线圈,完成消磁。

2.根据权利要求1所述的一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器,其特征是所述可控硅预稳压电路采用可控硅纹波触发式开关稳压电源;它包括两级稳压控制系统,由晶闸管预稳和专用集成电路反馈稳压达到170V-400V范围;

电路将整流后的纹波加以整形、放大后,去触发可控硅使其导通;当整流电压的瞬时值降到0V时,可控硅自动关断,用输出电压的变化控制触发脉冲的前沿,实现稳压。

3.根据权利要求2所述的一种管道端口磁滞缓冲消磁控制器,其特征是所述稳压电路主要由晶体管VT1~VT4、变压器T、可控硅SCR1组成;接电源的变压器输出接桥式整流电路,整流电路输出接L1与并联有电阻R47的可控硅SCR1串联至输出端,且可控硅SCR1的控制极经J2接并联二极管VD8的变压器T次级绕组;

桥式整流电路输出经电阻R38和R39分压并经电容C33接三极管VT4的基极,三极管VT4的发射极经电阻R40接桥式整流电路输出,发射极与基极之间接有反馈电阻R41,集电极经电阻R42接地且集电极输出接VT3基极与地之间电阻R43、电阻R44、电容C34串联电路的两电阻之间,VT3发射极与基极之间接有二极管VD5,VT3发射极经电阻R45与VT4的发射极相连并接变压器T的初级绕组一端并共同接至R40分压供电端,VT3集电极经电阻R47到地,并VT3集电极经电容C37接三极管VT2的基极,三极管VT2的发射极经电阻R53到地,集电极接变压器T初级绕组的另一端,且变压器T初级绕组两端之间并连有电阻R50;三极管VT1的基极从串接在输出端至地之间的电阻R54、电位器R55、电阻R56的电位器R55中间抽头接出,三极管VT1的发射极经稳压二极管VD7接地,VT1集电极经电阻 R52接三极管VT3的射极;

当接通电源时,由R38、R39分压后经C33加到VT4的基极,VT4将其放大后,集电极输出脉冲经R44对C34充电,形成抬高形锯齿波,经过R43送入VT3的基极;与此同时,误差放大器VT1集电极输出的误差电压经R51加到VT3的发射极,在两个电压的作用下,VT3集电极输出100Hz方波;该方波电压经过电容C37加到VT2基极的方波变为脉冲波形,经VT2放大后,通过低频脉冲变压器T微分,去触发SCR1的控制极;

当输出电压发生变化时,取样电路R54~R56两端的电压也变化,由VT1放大后去调制VT3输出方波的脉冲宽度,即改变脉冲前沿位置,使可控硅SCR1导通时间的长短与输出电压的高、低成反比变化。

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