[实用新型]一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统

权利要求书

1.一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室，以及分别与真空室相连的抽真空链路和充气链路，所述抽真空链路包括主要由机械泵组成的低真空链路和主要由分子泵和真空计组成的高真空链路；所述充气链路包括针阀、质量流量控制计和气动阀，其特征在于，所述碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统还包括：

布置在所述机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系统包括：

测量所述真空室内压力值的压力传感器；

将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的比例-积分-微分PID控制电路；

以及，根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室间阀门开启比例的压力控制执行部件。

2.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，其特征在于，所述压力控制执行部件包括：驱动器、电动机和调节阀；

所述驱动器在所述PID控制电路输出压力控制指令的控制下驱动所述电动机调节所述调节阀阀门的开启比例。

3.如权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，其特征在于，还包括：设置所述压力控制系统的压力值和压力控制时间，以及设置所述质量流量控制计的流量值和流量控制时间的可编程控制下位机。

4.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，其特征在于，所述真空室是石英管，所述石英管的两端采用法兰结构。