[实用新型]LED旁路控制电路有效

专利信息
申请号: 201020534417.3 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN201965891U 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 席小玉;张正伟 申请(专利权)人: 成都芯源系统有限公司
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34;H05B37/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李敬文
地址: 611731 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: led 旁路 控制电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及LED,具体涉及LED旁路控制电路。

背景技术

发光二极管(LED)背光在显示器领域的应用开始占居主导地位。例如,在液晶电视(LCD TV)领域,LED正逐渐取代传统的CCFL背光源。在液晶电视背光的应用中,LED以多条灯串的阵列形式提供背光。如图1所示,每条由多个LED灯串联组成的灯串由高达200V的直流电压驱动。这种串联形式的LED灯串具有每个LED灯电流相同的优点,因此,亮度稳定,并且驱动效率高。但LED灯串同时具有一个较大的缺点,那就是当灯串中的一个LED开路时,整条灯串都会熄灭。

为了防止这个问题的发生,通常采用旁路电路与每个LED并联。当其中的一个LED开路时,电流将从旁路电路中流过。传统的旁路电路采用稳压管,如图1所示。其中每个稳压管ZD和一个LED A并联。稳压管ZD可被反向击穿且具有稳定的反向电压。因此,当LED灯串中的某一个LED A开路时,高电压的驱动电压加载到与之并联的稳压管ZD上,ZD反向击穿导通并将电压钳制在稳定电压上。这样,LED灯串中除开路的LED外其余LED又能正常工作了。为了保证电路的运行,稳压管ZD的反向击穿电压需大于LED的正常正向电压,因此,当LED正常工作时,稳压管ZD将不导通。而当LED开路而触发稳压管ZD导通时,其稳定电压将小于反向击穿电压,用于降低旁路电路的功耗。

然而,该电路也有两大缺点。第一,稳压管的功耗较高。例如,稳压管的反向稳定钳制电压可达到1伏。该稳定电压受限于半导体工艺,同时受运行温度和导通电流影响。其次,当稳压管ZD受误触发时,例如当供电电压不稳定而产生“尖刺”时或LED开通瞬间的电流潮涌等,灯串中的一个或多个稳压管ZD将反向导通而旁路一个或多个LED,从而在背光中留下“黑点”,当该误触发状态消除后,稳压管ZD将不能自动回复,除非灯串重新上电启动,然而很多场合不方便经常重新启动。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种控制电路,包括检测电路,其输入端耦合至目标电路的两端;电容,与所述目标电路并联耦合,并耦合至所述检测电路的输入端;以及旁路电路,包含与所述目标电路并联的开关,并且所述旁路电路的输入端耦合至所述检测电路的输出端。在一个优选的实施例中,所述目标电路为LED。其中所述LED和其它LED串联形成LED灯串,所述LED灯串由一供电电源供电。所述开关为MOSFET、JFET、BJT或其它类型的开关管。其中所述检测电路可进一步包含比较器,其中所述比较器进一步包含:同相输入端,耦合至所述目标电路的阳极;

反相输入端,连接一参考电压源的正极,所述参考电压源的负极连接所述目标电路的阴极;以及输出端,耦合至所述开关的控制端。控制电路可进一步包含一参考电压外部调节端,用于从外部调节参考电压。其中所述电容的第一端连接所述比较器的同相输入端,所述电容的第二端连接所述目标电路的阴极。控制电路可进一步包含二极管,其阳极连接所述目标电路的阳极,其阴极连接所述电容的第一端,所述电容的第二端连接目标电路的阴极。控制电路可进一步包含稳压管,与所述目标电路并联连接。其中所述检测电路可进一步包含第一电源端,耦合至所述电容的第一端;以及第二电源端,耦合至所述电容的第二端。所述参考电压大于所述目标电路的正常正向电压并且所述参考电压小于所述稳压管的钳制电压。旁路电路还可进一步包含:锁存器,包含置位输入端、复位输入端和输出端,其中所述锁存器的置位输入端连接所述检测电路的输出端,所述锁存器的复位输入端连接所述目标电路的阳极;以及电荷泵,包含使能输入端,第一电源端、第二电源端、第一输出端和第二输出端,其中所述使能输入端耦合至所述锁存器的输出端,所述第一电源端和所述第二电源端耦合至所述目标电路的两端、所述第一输出端耦合至所述电容的第一端,所述第二输出端耦合至所述开关的控制端。所述旁路电路可进一步包含计时脉冲发生器,所述计时脉冲发生器的使能输入端耦合至所述锁存器的输出端,所述计时脉冲发生器的输出端耦合至所述电荷泵的使能输入端。当所述计时脉冲发生器的使能输入端信号为有效值时,所述计时脉冲发生器的输出信号为周期性交替的有效值和无效值。例如,所述有效值为高电平信号,所述无效值为低电平信号。其中所述计时脉冲发生器的输出信号具有高占空比。所述锁存器还可进一步包含第一电源端,耦合至所述电容的第一端;以及第二电源端,耦合至所述电容的第二端。

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