[实用新型]一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统有效

专利信息
申请号: 201020535560.4 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN201901701U 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 尹志尧;陶珩 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 金属 有机物 化学 沉积 真空 处理 系统
【权利要求书】:

1.一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统,其特征在于,所述真空处理系统包括:

具有若干个密封门的传输室,其内部设置有第一传输装置,至少一个放置有多片基片的载片盘可以通过所述第一传输装置经过所述密封门被传输;

与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁,其用于连接所述传输室和外界大气环境,以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界大气环境和所述传输室之间对所述载片盘进行传输;

与所述若干个密封门中的至少一个相连接的反应室,所述多片基片在所述反应室中进行金属有机物化学气相沉积处理;

反应室辅助系统,其与所述反应室在空间分布上呈堆栈式排列;以及

所述真空锁和所述反应室连接于传输室的周围。

2.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室辅助系统位于所述反应室的上方。

3.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室辅助系统位于所述反应室的下方。

4.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室辅助系统包括气体控制及混合系统和/或反应源供应及传输系统。

5.根据权利要求4所述的真空处理系统,其特征在于,所述气体控制及混合系统位于所述反应源供应及传输系统的下方。

6.根据权利要求4所述的真空处理系统,其特征在于,所述气体控制及混合系统位于所述反应源供应及传输系统的上方。

7.根据权利要求4所述的真空处理系统,其特征在于,所述气体控制及混合系统和所述反应源供应及传输系统呈水平方向并排地位于所述反应室的下方。

8.根据权利要求4所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应 源供应及传输系统包括将液态有机金属反应源转换成蒸汽态的泡沫装置以及将所述蒸汽态的有机金属反应源带至所述反应室的载流气体传输系统。

9.根据权利要求4所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应源供应及传输系统包括氢化物气体反应源供应和传输系统。

10.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室辅助系统包括电源供应系统。

11.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室辅助系统包括废气处理系统。

12.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述反应室还包括排气泵,所述排气泵也设置于所述反应室的下方。

13.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述真空处理系统至少包括两个反应室,所述每一个反应室均配置有一套独立使用的所述反应室辅助系统。

14.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述真空处理系统包括多个反应室,所述反应室辅助系统中的至少部分由所述多个反应室中的至少两个反应室共享使用。

15.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述传输室大体呈四方形,所述真空锁连接于所述四方形的一边,所述四方形的其他边的位置处分别连接有一个或多个反应室。

16.根据权利要求1所述的真空处理系统,其特征在于,所述真空锁内部设置有多个载片盘托架,每个所述载片盘托架上可以放置有一个所述载片盘。

17.根据权利要求16所述的真空处理系统,其特征在于,所述真空锁还包括至少一个升举装置和至少一个载片盘容纳箱,所述多个载片盘托架设置于所述载片盘容纳箱内,其中:

所述升举装置的下端固定连接于所述真空锁下表面,其上端固定连接于所述载片盘容纳箱的下表面,其可以沿竖直方向上下移动所述载片盘容纳箱,以使得其中的载片盘能够对准设置于所述真空锁和所 述传输室之间的第一密封门并能够通过所述第一密封门被传输至所述传输室。 

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