[实用新型]一种压下抱闸剩磁吸收回路装置有效

专利信息
申请号: 201020541912.7 申请日: 2010-09-26
公开(公告)号: CN201854194U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 杨旭;李延启;靳铁辉;潘大龙 申请(专利权)人: 鞍钢股份有限公司
主分类号: H02M7/04 分类号: H02M7/04;B21B37/00
代理公司: 鞍山华惠专利事务所 21213 代理人: 赵长芳
地址: 114021 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 压下 剩磁 吸收 回路 装置
【权利要求书】:

1.一种压下抱闸剩磁吸收回路装置,其特征在于,在所述吸收回路中增设两组阻容吸收单元;一组由一个电阻与一个电容串联组成的阻容吸收单元联接在电源交流侧;另一组由一个电容和两个电阻组成的阻容吸收单元联接在整流桥后直流侧。

2.根据权利要求1所述的压下抱闸剩磁吸收回路装置,其特征在于,所述的联接在整流桥后直流侧的阻容吸收单元是由一个电容与一个电阻并联后再与另一电阻串联组成的。

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