[实用新型]单面腐蚀酸制绒设备无效
申请号: | 201020547499.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN201796935U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 刘彬 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 腐蚀 酸制绒 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅电池片制作技术领域,特别是一种单面腐蚀酸制绒设备。
背景技术
目前的制绒方法和制绒设备是硅片完全浸泡在腐蚀药液内,达到去除硅片损伤层及制绒的效果。但是扩散使用的是单面扩散,所以只对扩散面的绒面形态有要求,即只需要对扩散面制绒,而且双边腐蚀降低了硅片的厚度,从良率和效率来看,都有所损失。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:对现有制绒设备进行改进,进行单面腐蚀制绒。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种单面腐蚀酸制绒设备,包括制绒槽,在制绒槽的上料端具有用于控制药液高度的上料端挡板,在制绒槽内具有输送硅片的下滚轮,降低制绒槽的上料端挡板的高度,该高度为使药液的液面刚好没过硅片下滚轮的高度。
本实用新型的有益效果是:使用本设备进行单面制绒,一个面达到了制绒的效果,另一个面仍是硅片本身的性能,这有利于丝网背电场的印刷及电流的收集,从而提高效率;同时单面制绒也降低了机碎率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明;
图1是本实用新型的结构示意图;
其中:1.制绒槽,2.上料端挡板,3.下滚轮,4.硅片,5.液面。
具体实施方式
现在结合附图1对本实用新型作进一步详细的说明。该附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
一种单面腐蚀酸制绒设备,包括制绒槽1,在制绒槽1的上料端具有用于控制药液高度的上料端挡板2,在制绒槽1内具有输送硅片4的下滚轮3,降低制绒槽1的上料端挡板2的高度,减小循环流量,使液面5刚好没过滚轮,硅片4漂浮在液面5上。
以RENA Intex的制绒设备为例,RENA Intex的制绒方法是将硅片4完全浸没在药液里,上表面也被腐蚀并制绒。在下滚轮3上还具有上滚轮,上滚轮的目的是下压硅片4,使硅片4不漂浮,保持前进方向。采用本设计来改造该制绒设备,去除上滚轮,降低制绒槽上料端挡板2的高度,减小循环流量,使液面5刚好没过下滚轮3,硅片4漂浮在液面5上;或者直接将Intex制绒槽更换成Inoxside刻蚀槽,形成对制绒槽的单面腐蚀。
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