[实用新型]一种新型重离子微孔防伪膜有效
申请号: | 201020547568.2 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN201904036U | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 刘永辉;崔清臣;傅元勇 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院;中山国安火炬科技发展有限公司 |
主分类号: | G09F3/02 | 分类号: | G09F3/02;B32B27/08 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 何文彬 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 离子 微孔 防伪 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种防伪膜,具体是提供一种新型重离子微孔防伪膜。
背景技术
现有技术下,利用重离子或裂变碎片辐照成像技术制造出的微孔膜,具有仿制难度大、生产成本低、易识别等特点,广泛用于制作商标或标识。从公开的文献来看,制造重离子微孔防伪膜的方法主要有两类。一类是先整体辐照,再利用模具成像,最后进行化学蚀刻的方法。另一类是放射性束流通过模具辐照塑料薄膜,即高能重离子或裂变碎片通过成像模具后辐照在透明塑料薄膜上,经过蚀刻,在薄膜上形成具有鲜明对比度的乳白色图案。
这两类制备重离子微孔防伪膜方法的主要区别体现在成像的先后顺序上,第一类方法是将塑料薄膜全部辐照后再通过各种模具成像,而第二类方法是携带模具辐照,实质是先成像后辐照。两类制备方法各有优缺点,适用于不同的生产条件。
另外,在第二类先成像后辐照的制备方法中,带有设定图案的模具与基膜通常是分离的,在辐照时,要求模板与基膜同步运动,相对静止,稍有距离变化或相对移动,都会引起图像模糊,进而影响产品质量。同时,为解决模具的支撑与运动问题,必须增加专用设备。还有,在工业生产时,成像工艺是在放射性环境下完成,工作人员干涉困难,因此对生产设备的要求比较苛刻。
中山国安火炬科技发展有限公司在中国专利200920057733.3公开了一种新型微孔防伪膜,它包括塑料辐照膜,在塑料辐照膜的一面印刷有热熔胶,热熔胶上具有与防伪图案对应的通孔。为了提高防伪膜的抗拉强度,在防伪膜的另一面再复合一层保护层。在该技术中,塑料辐照膜的一面印刷有热熔胶,其目的之一就是起到模板的作用,阻止裂变碎片或重离子在塑料薄膜上形成整体径迹损伤。但是,它未公开热熔胶的具体组分及配比。面对能量达到10MeV~500MeV的重离子或裂变碎片,单一的热熔胶起不到吸收重离子或裂变碎片的作用。
发明内容
本实用新型是针对以上问题,提供一种新型重离子微孔防伪膜,其通过在基膜的一面涂上具有设定镂空图案的抗辐射胶层,胶中掺有不易被重离子穿透的金属或非金属材料,替代现有技术中的专用模板,不仅简化了生产设备,更重要的是,从根本上解决了辐照时模板与基膜需要同步运动的难题,简化了生产设备。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种新型重离子微孔防伪膜,包括基膜层,所述基膜层一面涂覆有抗辐射胶层,另一面涂覆有聚丙烯层。
抗辐射胶层上设置有镂空图案。
本实用新型的一种新型重离子微孔防伪膜,其在基膜成像时,在基膜层的一面涂上1μm-5μm厚的具有设定镂空图案的抗辐射胶层(抗辐射胶是以树脂为主料的胶和其他物质的混合物)。所述的抗辐射胶是在以树脂为主料的胶中掺入阻止重离子束流能力强的金属材料,如铜、锌、锡、铁、镍;或者非金属材料,如碘、溴化银、氧化锆等,以加强对重离子束流的阻止作用(作用是有效降低束流能量,可以减少涂胶部分重离子穿透基膜,非涂胶部分则可以被重离子穿透)。
本实用新型的一种新型重离子微孔防伪膜,辐照前在基膜层的一面涂上具有设定镂空图案的抗辐射胶层,胶中还掺有不易被重离子穿透的金属或非金属材料,替代现有技术中的专用模板,不仅简化了生产设备,更重要的是,从根本上解决了辐照时模板与基膜需要同步运动的难题,简化了生产设备。另外,成像工作即基膜层上涂抗辐射胶的工作是在非放射性环境中完成,操作简单,产品合格率大大提高,适于大规模生产。
故而,与现有技术相比,本实用新型的一种新型重离子微孔防伪膜,具有设计合理、结构简单、制作成本低、防伪效果好的特点。
附图说明
图1是一种新型重离子微孔防伪膜的结构主视图;
图2是一种新型重离子微孔防伪膜的结构俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型的一种新型重离子微孔防伪膜作进一步的描述。
如附图1、2所示,一种新型重离子微孔防伪膜,包括基膜层1,所述基膜层1一面涂覆有抗辐射胶层2,另一面涂覆有聚丙烯层3。
抗辐射胶层2上表面设置有镂空图案4。
本实用新型的一种新型重离子微孔防伪膜,其加工方法有以下两种:
1、制备一种新型制备重离子微孔防伪膜的方法,包括下列步骤:
(1)基膜成像。选用厚度为(15μm~50μm)的PET膜为基膜。
(2)辐照。选用能量为1MeV-500MeV、流强为0.1纳安-10微安的重离子束流从一面辐照基膜,辐照时间为0.1秒到几个小时。
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