[实用新型]SMD2520型晶体谐振器用晶片无效
申请号: | 201020548077.X | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN201887728U | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 吴成秀;吴亚华 | 申请(专利权)人: | 铜陵市峰华电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17 |
代理公司: | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人: | 汤茂盛 |
地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | smd2520 晶体 谐振 器用 晶片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种SMD2520型晶体谐振器用晶片。
背景技术
在晶体谐振器制造中,需要在晶片部分表面镀上一层银,形成晶片的主副电极,使晶体在电场的作用下形成逆压电效应。为了保护晶片,一般是将晶片放置在基座内,再使用上盖与基座压封。晶片是利用导电胶固定在基座内部的,其牢固程度直接影响了晶体谐振器的可靠性。
由于导电胶是覆盖在晶片主副电极的镀层上,因而固定晶片与基座的粘结强度相对较差,在受到撞击后,容易形成晶片松动,造成产品的可靠性下降。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种SMD2520型晶体谐振器用晶片,可以提高晶片与基座间的粘接强度,提高产品的可靠性。
本实用新型是这样实现的:在晶片的主电极引出端和/或副电极引出端点胶区域设有第一非镀层区域和/或第二非镀层区域,该第一非镀层区域和/或第二非镀层区域面积为0.045~0.055mm2。点胶后,导电胶覆盖该非镀层区域,导电胶与晶片本体直接接触,极大的加强了晶片与基座的粘结强度。
由于该第一非镀层区域和/或第二非镀层区域非镀层区域面积很小,并且导电胶覆盖了周围和下表面的有镀层区域,不会对晶体谐振器的电性能造成影响。
上述第一非镀层区域和/或第二非镀层区域设置在晶片的拐角处,即点胶胶点的区域,以便于导电胶可以完全覆盖住该非镀层区域。
经跌落试验,使用本实用新型晶片的晶体谐振器产品在1m高度3次自由 跌落在厚度为3cm的木地板上,频率变化在1ppm内,电阻变化在2Ω之内。而常规晶体谐振器频率变化一般在2.5ppm内。
振动试验中,在振动频率10~55Hz,振幅1.5mm,周期1.5分钟的条件下,循环在X、Y、Z轴方向各30分钟,放置1小时后测试变化值。频率变化在3ppm以内。常规晶体谐振器频率变化一般在5ppm内。
上述实验表明其耐跌落和振动的可靠性好,较原设计产品可靠性提高。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型另一实施例结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型晶片1上的主、副电极引出端4、2在晶片1拐角处分别设有第一非镀层区域5、第二非镀层区域3,该第一非镀层区域5、第二非镀层区域3面积为0.045~0.055mm2,该第一非镀层区域5、第二非镀层区域3可以是一块连续的区域,也可以是不连续的几块。点胶后,导电胶覆盖该非镀层区域,导电胶与晶片本体直接接触,极大的加强了晶片在基座上的粘结强度。
本实用新型也可在一个电极引出端设置非镀层区域。图2所示为本实用新型在副电极引出端设置非镀层区域的实施例,晶片1上副电极引出端2在晶片1拐角处设有第二非镀层区域3。
本实用新型也可只在主电极引出端设置第一非镀层区域。
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