[实用新型]具有软硬销毁功能的数据装载模块有效
申请号: | 201020550127.8 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN201828905U | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 邹政韬;胡亮;蔡丽君 | 申请(专利权)人: | 中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所 |
主分类号: | G06F12/14 | 分类号: | G06F12/14;G11B20/00 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 李烨 |
地址: | 300141 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 软硬 销毁 功能 数据 装载 模块 | ||
技术领域
本实用新型属于敏感数据的存储和销毁技术,具体涉及一种具有软硬销毁功能的数据装载模块。
背景技术
在某些计算机中,需要海量存储介质存放操作系统、用户的应用程序以及关键数据。在以往的应用中,通常利用商用硬盘或固态硬盘来实现,如果采用上述标准结构设备的话,普通的计算机就可以直接读取其中的信息,容易造成关键数据信息的泄密。针对关键数据信息的销毁,通常有软件销毁和硬件销毁两种。对于软件销毁,由于商用硬盘磁介质的顺序存取特性,要多次销毁才有可能保证数据不被恢复,耗时时间长。另外,操作系统的不同造成销毁软件需针对不同平台进行移植,加大了开发难度;对于高压冲击的硬件销毁,只能破坏商用硬盘的电气特性,磁介质上的关键信息没有被破坏,依然能被计算机读出。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能实现敏感数据的存储,并能在紧急情况下对数据进行快速软件/硬件销毁的数据存储装置。
实现本实用新型目的的技术方案:一种具有软硬销毁功能的数据装载模块,其中,电气部分采用NAND Flash芯片和NAND Flash控制器实现了数据存储功能;电气部分包括软件销毁控制器和硬件销毁组件;NAND Flash控制器内部集成的快速软件销毁功能;
快速软件销毁数据时,软件销毁控制器接收到触发信号之后向NAND Flash控制器发送软件销毁指令,NAND Flash控制器首先发送“60”命令给Flash芯片,“60”表示擦除命令;接着发送要销毁的数据块的地址,通知Flash要擦除的Flash块起始地址;接着发送“D0”命令,“D0”命令表示开始擦除;对所有数据块重复上述擦除操作完成对整个Flash存储器的数据销毁;
硬件销毁组件包括:硬件销毁按钮、非门D1、电压转换器D2;硬件销毁按钮被按下时,非门D1的输入端输入了低电平的信号,经过非门翻转输出5V高电平,这样电压转换器D2的输入端就施加了5V输入信号;D2在这里是5V直流转12V直流的电压转换器;D2开始工作输出12V高电压;这个12V高电压输入信号与Flash芯片电源输入管脚相连,在按钮不按下时,高压生成器电路不工作,Flash的电源输入引脚使用正常的3.3V供电,当数据硬件销毁按钮按下时,高压生成器电路生成的12V高电压施加到Flash芯片,将Flash芯片烧毁。
如上所述的一种具有软硬销毁功能的数据装载模块,其中,采用CPCI总线专用连接器将数据信号和销毁用触发信号引入;软件销毁控制器采用单片机实现,接收到销毁触发信号后发送中断请求至NAND Flash控制器,数据销毁过程由中断处理程序实现。
如上所述的一种具有软硬销毁功能的数据装载模块,其中,结构部分,NAND Flash芯片和NAND Flash控制器直接集成在数据装载模块印制板上并所述数据装载模块表面覆盖导热板,导热板采用铝合金材料制成,在芯片外形成金属屏蔽。
本实用新型的技术效果在于:利用非标准的结构形式实现了标准结构设备的数据存储功能,存储于数据装载模块内的数据信息通过专用连接器输出,普通的计算机无法读取设备内的信息,可确保信息的安全性。将芯片直接焊接在印制板上,满足撞击、振动环境的使用要求。模块表面覆盖用铝合金材料制成的导热板,在芯片外形成金属屏蔽,提高抗干扰能力,能确保信息的可靠性。具有软硬销毁功能的数据装载模块采用NAND Flash存储数据,利用非标准的结构形式实现了标准结构设备的数据存储功能。模块内部集成了快速软件销毁和硬件销毁组件,使用户可以在短时间内彻底清除敏感数据。模块内部集成了快速软件销毁和硬件销毁组件,销毁功能所需信号由专用连接器引入。用户只需配置触发开关就可以在短时间内彻底清除敏感数据。
附图说明
图1是本实用新型提供的具有软硬销毁功能的数据装载模块数据存储部分的电气原理框图;
图2是本实用新型提供的具有软硬销毁功能的数据装载模块软件销毁部分电气的原理框图;
图3是本实用新型软件数据销毁部分的流程图;
图4是本实用新型提供的具有软硬销毁功能的数据装载模块硬件销毁部分的电气原理框图;
图5是本实用新型图4中高压生成器的电气原理框图;
图6是本实用新型结构部分的安装图。
图中:1.NAND Flash控制器;2.软件销毁控制器;3.高压生成器;4~11.NAND Flash芯片;12.CPCI连接器J1。13.CPCI连接器J2。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所,未经中国航天科工集团第三研究院第八三五七研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020550127.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。