[实用新型]阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示器。 

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display；简称为：TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，而成为液晶显示器中的主流产品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驱动电路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层；通过控制驱动电路提供的电压使液晶分子有序发生偏转，产生光的明暗变化，其中电压的控制是由薄膜晶体管完成的。 

图1A为现有技术阵列基板的局部俯视结构示意图，图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图1A和1B所示，该阵列基板包括衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极11；TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6(包括半导体层61和欧姆接触层62)；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，漏电极8连接像素电极11，有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间。其中，栅线2和栅电极3上覆盖栅绝缘层4，与TFT开关和数据线5保持绝缘；TFT开关和数据线5上覆盖有钝化层9，与像素电极11保持绝缘，像素电极11可通过钝化层过孔10与漏电极8相连。其中，上述结构和图案构成阵列基板上的像素区域，而像素区域之外还包括有接口区域。 

随着TFT-LCD的飞速发展，对TFT-LCD的尺寸和分辨率的要求不断提高。在TFT-LCD的尺寸不断增大、分辨率不断提高的同时，通常采用更高频率的驱动电路以缩短TFT-LCD的充电时间(即减小栅线打开的时间)来保证TFT-LCD的显示质量。其中，TFT-LCD的充电时间缩短，意味着需要更高的充电电流。通常TFT-LCD的充电电流如公式(1)所示： 

I_on＝W/Lμ_n C_SiNx(V_GS-V_TH)V_DS                        (1) 

其中，W表示TFT沟道宽度；L表示TFT沟道长度；μ_n表示电子迁移率；C_SiNx表示栅绝缘层单位面积电容；V_GS表示栅源电压；V_TH表示阈值电压；V_DS表示源漏电压；I_on表示开态电流。 

根据上述公式(1)可知，增加单位面积电容C可以有效增加开态电流I_on；进一步结合计算栅绝缘层电容的公式(2)可知，减少电解质的厚度即栅绝缘层的厚度，可以有效地增加开态电流I_on。因此，现有技术通常是采用减小栅绝缘层的厚度的方式来增大充电电流。 

C＝εS/d                    (2) 

其中，C表示栅绝缘层的电容；ε表示栅绝缘层的介电常数；S表示栅绝缘层的有效面积；d表示栅绝缘层的厚度。 

但是，本领域技术人员熟知，该栅绝缘层的厚度不能太小，太小绝缘性不好，很容易发生电击穿，例如：出现数据线和栅线短路(DG short)，直接影响到产品的良品率；所以，现有技术中的TFT-LCD的栅绝缘层的厚度一般可以是2500～ 那么，如何在保证TFT-LCD的栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下，增加充电电流成为亟待解决的技术问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及液晶显示器，用以在保证栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下，增大充电电流。 

本实用新型提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有 横纵交叉的数据线和栅线；所述数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极；每个所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极；所述栅线上覆盖有栅绝缘层；所述有源层形成于所述栅绝缘层上；所述源电极和所述漏电极形成于所述有源层上，并分别与所述有源层连接；还包括：辅助栅绝缘层和辅助栅电极；