[实用新型]能够放大空间偏移的OVL标记

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体光刻标记，具体涉及一种能够放大空间偏移的OVL标记。

背景技术

现有的OVL(overlay套准)，其设计偏移和实际偏移都是1∶1的比例，对于设计偏移很小的OVL，无法采用目测方式进行测量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能够放大空间偏移的OVL标记，它可以将偏移放大，以便进行目测或其他量测方式。

为解决上述技术问题，本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记的技术解决方案为：

包括几何图形状标记，几何图形设有角θ，tag(θ)为所述几何图形的放大因子。

所述几何图形为等腰梯形、三角型或菱形。

所述tag(θ)的取值范围为0到+∞。

本实用新型可以达到的技术效果是：

本实用新型利用几何图形的形状，能够将很小的偏移放大，以至于达到可以目测或其他量测方式的范围。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记的示意图；

图2是本实用新型的偏移量换算示意图；

图3是本实用新型的偏移量换算的另一示意图；

图4是采用本实用新型进行偏移量测量的示意图。

图中附图标记说明：

1为第一标记，            2为第二标记。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型能够放大空间偏移的OVL标记，包括几何图形状标记，几何图形设有角θ，tag(θ)为该几何图形的放大因子。

tag(θ)的值可以为0到+∞。

几何图形可以是等腰梯形、三角型、菱形等。

几何图形的大小可以根据制程、切割道大小进行调节。如：等腰梯形的上边为20um，下边为26um，高为30um，则放大倍率为10。

本实用新型在当层和前层相应放置。

本实用新型的使用方法如下：

1、将第一标记1放置于当层；

2、将另一相同的第二标记2放置于相同的位置，第二标记2相对于第一标记1做180度旋转；

3、通过目测或其他量测方式，测量两个标记1、2的交点的垂直(或水平)距离，通过放大因子换算成x(y)方向的偏移量。

如图4所示，a、b点的垂直距离为Y，则X方向的偏移为Y/10(Y/放大倍率)。

如图2所示，第二标记2在x方向发生偏移，x方向的偏移量为ΔX(y方向的偏移量为0)，由几何关系可以得到：ΔY＝2×(tag(θ)×ΔX/2)＝tag(θ)×ΔX，故通过目测或其他量测方式测得ΔY(a、b之间的垂直距离)，即可得到ΔX的值。

如图3所示，第二标记2在x方向和y方向同时发生偏移，由于第二标记2向上或者向下偏移，则两个标记的交点a、b都向上或向下偏移同样距离，所以a、b之间的垂直距离不变。

由几何关系可以得到：ΔX不随y方向的偏移而变化。所以x方向的标记(Mark)可以monitor(量测)x方向。

本实用新型可以放大x方向或者y方向的偏移，所以能够更好地通过目测或其他量测方式测量到实际的偏移，可以提高量测的精度，可以在一些光刻工艺过程中利用目测或其他量测方式而去除OVL量测。