[实用新型]供电设备、用于数字麦克风的处理芯片和数字麦克风无效
| 申请号： | 201020562842.3 | 申请日： | 2010-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN201854390U | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 白蓉蓉;王建庭;菅端端;王文静;曹靖 | 申请（专利权）人： | 北京昆腾微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R1/08 | 分类号： | H04R1/08;H04R3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100097 北京市海淀区蓝靛*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供电 设备 用于 数字 麦克风 处理 芯片 | ||
1.一种供电设备，其特征在于，包括：至少两个串联连接的低压差线性稳压器。
2.根据权利要求1所述的供电设备，其特征在于，包括三个串联连接的低压差线性稳压器。
3.根据权利要求2所述的供电设备，其特征在于，所述低压差线性稳压器的调整管为PMOS场效应管；或者
所述低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管，所述低压差线性稳压器还包括升压电荷泵，连接在所述低压差线性稳压器的比较放大器和电源之间。
4.根据权利要求3所述的供电设备，其特征在于，所述三个低压差线性稳压器包括第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器和第三低压差线性稳压器，所述第二低压差线性稳压器连接在所述第一低压差线性稳压器和所述第三低压差线性稳压器之间，所述第一低压差线性稳压器的调整管为PMOS场效应管，所述第二低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管，所述第三低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管；
所述第一低压差线性稳压器的PMOS场效应管的漏极与所述第二低压差线性稳压器的NMOS场效应管的漏极连接，所述第二低压差线性稳压器的NMOS场效应管的源极与所述第三低压差线性稳压器的NMOS场效应管的漏极连接。
5.一种用于数字麦克风的处理芯片，包括处理模块和供电模块，其特征在于，所述供电模块包括至少两个串联连接的低压差线性稳压器。
6.根据权利要求5所述的处理芯片，其特征在于，所述供电模块包括三个串联连接的低压差线性稳压器。
7.根据权利要求6所述的处理芯片，其特征在于，所述低压差线性稳压器的调整管为PMOS场效应管；或者
所述低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管，所述低压差线性稳压器还包括升压电荷泵，连接在所述低压差线性稳压器的比较放大器和电源之间。
8.根据权利要求7所述的处理芯片，其特征在于，所述三个低压差线性稳压器包括第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器和第三低压差线性稳压器，所述第二低压差线性稳压器连接在所述第一低压差线性稳压器和所述第三低压差线性稳压器之间，所述第一低压差线性稳压器的调整管为PMOS场效应管，所述第二低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管，所述第三低压差线性稳压器的调整管为NMOS场效应管；
所述第一低压差线性稳压器的PMOS场效应管的漏极与所述第二低压差线性稳压器的NMOS场效应管的漏极连接，所述第二低压差线性稳压器的NMOS场效应管的源极与所述第三低压差线性稳压器的NMOS场效应管的漏极连接。
9.一种数字麦克风，包括麦克风和处理芯片，所述处理芯片包括处理模块和供电模块，其特征在于，所述供电模块包括至少两个串联连接的低压差线性稳压器。
10.根据权利要求9所述的数字麦克风，其特征在于，所述供电模块包括三个串联连接的低压差线性稳压器。
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