[实用新型]LPCVD垂直炉管的石英连接件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路制造设备，具体涉及一种LPCVD垂直炉管的石英连接件。

背景技术

集成电路(IC)的标准工艺加工厂(foundry)中，低压化学气相淀积设备(LPCVD)是整个工艺流程的重要工序，当前主流设备为垂直炉管。

TEL制a-8SE八寸晶圆垂直设备的TEOS(正硅酸乙酯)炉管工艺，属于有TEOS薄膜的低压化学气相沉积生长。由于反应出来的生成物比较多，不仅容易将manifold(歧管装置)至pump-line(管路)的出口堵住，还会影响到颗粒的增加。

这是由于在产品晶圆上生长TEOS薄膜时，manifold的内壁也会同时生长相应厚度的薄膜。一般的产品晶圆在一台设备中一次只生长一次薄膜即只做一次工艺，然后该设备再处理下一个批次的产品。当累计工艺次数增加，即累计生长的薄膜厚度增加时，manifold至pump-line的出口处管壁的冗余薄膜也会增加。当累积薄膜到达一定程度时，就会将manifold至pump-l ine的出口处堵住，影响正常产品晶圆的工艺过程。

如果产出颗粒，就可能掉在半导体有效器件上，从而使最终产品失效。出现这类情况时，在产品晶圆上的颗粒分布，呈现外围密集，中间稀疏的环状格局。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种LPCVD垂直炉管的石英连接件，它可以避免生成物将manifold至pump-line的出口堵住。

为解决上述技术问题，本实用新型LPCVD垂直炉管的石英连接件的技术解决方案为：

包括一石英圆管，圆管的顶部一侧设有挡板；圆管的底部内壁设有连接管。

所述石英圆管的高度为100毫米，直径为80毫米，壁厚为3毫米。

所述挡板的宽度为15毫米。

所述连接管的外径为2.5毫米。

本实用新型可以达到的技术效果是：

本实用新型用于TEOS工艺中，能够减少生成物对管壁的增长，从而避免生成物将manifold至pump-line的出口堵住，减少PM(维护)频度；本实用新型还能够控制颗粒，减少颗粒掉落的机会。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是本实用新型LPCVD垂直炉管的石英连接件的结构示意图；

图2是图1的俯视图。

图中附图标记说明：

1为圆管，2为挡板，

3为连接管。

具体实施方式

如图1、图2所示，本实用新型LPCVD垂直炉管的石英连接件，用于集成电路制造的低压气相沉积TEOS工艺中，设置于manifold与pump-line的交接处；

包括一石英圆管1，圆管1的顶部一侧设有挡板2；圆管1的底部内壁设有连接管3。

石英圆管1的高度为100毫米，直径为80毫米，壁厚为3毫米；

挡板2的宽度为15毫米。

连接管3的外径为2.5毫米。连接管3作为安装时的固定点，方便安装及拆卸。

本实用新型的使用不会影响到其他部件的安装，具备足够大的空间，也不会影响到pumping speed(排气速度)及反应时气体浓度分布，所以本实用新型的使用对原有工艺的其它参数影响可忽略。

本实用新型在设备正常保养时进行安装，无需其他部件改造，可直接安装在原设备上。之后观察数个维护周期内，颗粒总数的变换，会较明显改善。