[实用新型]晶片的切割设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体材料的切割设备，更具体地涉及用于晶片、尤其是超薄晶片的切割设备。

背景技术

晶片(例如硅晶片和IIIA-VA族化合物晶片，例如GaAs晶片等)广泛用于半导体行业。在制造晶片的过程中，首先利用晶体生长方法获得晶棒(也称为晶锭)，然后将晶棒切割成晶片。切割完成之后，还需经历研磨、刻蚀和清洗，以及抛光等工序最终获得可供制造半导体器件使用的晶片。

晶片的切割通常使用从上到下式晶片多线切割机。在利用该种切割机切割的过程中，晶棒的底部粘接固定在工作台上，晶棒的切割从顶部开始至底部结束。这样的切割方法对于超薄晶片的切割而言(例如4寸晶片切片厚度在260微米左右，或6寸晶片在300微米左右)，切割进行到底部时晶片倾斜甚至倒伏，出现大量的晶片底部断裂(所谓的“烂底”)而造成损失。例如，采用从上到下式的多线切割(“正切”)方法，切割超薄(切片厚度大约300微米左右)6寸晶片的破损率在35％以上。

为减少损失，已经开发了一种从下到上式的切割方法(“倒切”)：晶棒通过顶部粘接后悬挂在切割机上，从底部开始切割至顶部结束。切割完毕后，所有晶片均悬挂在粘接台上。采用这种倒切的方案可以有效地实现超薄晶片的切割，并且破损率一般不超过5％。但是，倒切线锯的价格通常为从上到下切割线锯价格的2倍之多。

因此，非常需要一种成本低、损耗小的晶片切割设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术中上述问题。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种晶片的切割设备，包括：

一个切割机构，包括至少一个切割线锯；

一个底板；以及

一个支撑机构，包括至少两个立柱和一个横杆，所述立柱固定至底板，所述横杆于其两个末端处分别可松脱地连接至各一个立柱；其中所述横杆与各立柱连接点的高度可调。

在本实用新型的一个优选实施方案中，所述立柱设有用于放入横杆的孔，孔中设有紧固销，孔的高度(孔在竖直方向至底板的距离)等于或小于待切割晶棒直径与压条厚度之和。

在本实用新型的一个优选实施方案中，所述立柱可移动地固定至底板，立柱之间的间距可调。

在本实用新型的一个优选实施方案中，所述切割机构包括多个切割线锯(如果各线锯是互相独立的线锯)或多重切割线锯(如果线锯是同一根线经绕在切割机构的罗拉(roller)上而形成)。

在本实用新型的一个优选实施方案中，包括两对立柱和两个横杆，一对立柱及相应的横杆与另一对立柱及相应的横杆相对于底板对称分布。

附图说明

本实用新型通过一个非限制性的实施例参照附图来描述，在附图中：

图1是现有技术的晶片切割设备的示意图。

图2是本实用新型的一个实施方案的示意图。

图3是图2中的晶片切割设备的局部放大图。

具体实施方式

在本实用新型中，“切割线锯”是指一个可以用于切割晶棒的线型物，例如带齿或不带齿的金属线。

在本实用新型中，切割机构可以包括一个切割线锯，也可以包括装配在同一个切割机构中的多个切割线锯，或者包括由同一根线型物经绕在切割机构的罗拉上而形成的多重线锯。

图1示意性示出了现有技术的晶片切割设备1000。该切割设备1000包括切割机构120和用于固定晶棒的底板130。切割机构120包括切割线锯122和罗拉121。待切割的晶棒110的顶部结合(例如通过粘合等)有压条111，晶棒110通过其底部结合的压条被固定在底板130上。压条111通常由石墨制成，也可以由例如树脂材料等其他材料制成。

在切割时，切割机构120的切割线锯122从上到下对晶棒110进行切割。由于晶棒仅仅通过在其下部的底板130固定，在切割至晶棒的底部时，晶片容易倾斜或者倒伏，从而造成了大量的晶片底部断裂，形成烂底。烂底使得晶片的破损率非常严重，例如在切割超薄6寸晶片时，破损率将达到35％以上。

图2示出了本实用新型的一个实施方案2000的示意图。应当理解，以下说明对于本实用新型而言仅是示例性的，而不应被视为限制本实用新型。

本实用新型的一种晶片的切割设备包括：一个切割机构220，包括至少一个切割线锯；一个底板230；以及一个支撑机构，包括至少两个立柱240和一个横杆250，所述立柱240固定至底板230，所述横杆250于其两个末端处分别可松脱地连接至各一个立柱240；其中所述横杆250与各立柱240连接点的高度可调。