[实用新型]具有移相器的电压控制型表面声波振荡器

说明书

技术领域

本实用新型总的涉及振荡器，并且更具体地，涉及一种具有移相器的电压控制型表面声波振荡器。

背景技术

诸如电压控制型表面声波振荡器的振荡器广泛用在多种电子装置中并且其特征在于振荡频率会随着外部电压而变化。尽管已经证明当前的表面声波振荡器可以满足需求，但是仍持续需要包括电压控制型表面声波振荡器的更小尺寸、更低成本和更高性能的振荡器。

实用新型内容

本实用新型总的涉及包括滤波器和移相器的振荡器，该移相器包括用于调整正和负相移并且用于将振荡器的频率定在中心的装置。

根据本实用新型的一个方面，提供一种振荡器，包括：

滤波器；和

耦合到滤波器的移相器，该移相器包括耦合到至少一个高通电路的至少一个低通电路。

在上述振荡器中，低通电路包括串联耦合的一对电感器和一端耦合在该对电感器之间的可变电容器。

在上述振荡器中，高通电路包括串联耦合的一对可变电容器和一端耦合到该对可变电容器之间的电感器。

在上述振荡器中，移相器包括串联耦合在一对高通电路之间的低通电路。

在上述振荡器中，该振荡器是电压控制型表面声波振荡器并且该滤波器是表面声波滤波器。

根据本实用新型的另一方面，提供一种振荡器，其中包括至少一个移相器，该移相器包括用于调整负和正相移并且将振荡器的频率定在中心的装置。

在上述振荡器中，用于调整负和正相移的装置包括串联耦合在一起的至少一个第一低通移相器电路和至少一个第一高通移相器电路。

在上述振荡器中，第一低通移相器电路包括串联耦合的一对电感器以及耦合在该对电感器之间的可变电容器，并且第一高通移相器电路包括串联耦合的一对可变电容器和耦合在该对可变电容器之间的电感器。

在上述振荡器中，还包括和第一低通移相器电路串联耦合的第二高通移相器电路，该第一低通移相器电路位于第一和第二高通移相器电路之间。

在上述振荡器中，该振荡器是包括表面声波滤波器的电压控制型表面声波振荡器。

根据本实用新型的再一方面，提供一种电压控制型表面声波振荡器，其特征在于，包括至少一个表面声波滤波器和电压控制型移相器，该电压控制型移相器包括至少第一和第二高通电路以及串联耦合到第一和第二高通电路之间的第一低通电路，第一和第二高通电路的每一个包括至少一个第一可变电容器，并且第一低通电路包括和第一高通电路的第一可变电容器串联耦合的至少一个第一电感器以及和第二高通电路的第一可变电容器串联耦合的第二电感器。

在上述电压控制型表面声波振荡器中，第一低通电路还包括一端耦合在第一和第二电感器之间并且另一端耦合在接地端的可变电容器，并且第一和第二高通电路的每一个还包括第二可变电容以及一端耦合在第一和第二可变电容器之间并且另一端耦合到接地端的电感器。

在上述电压控制型表面声波振荡器中，还包括耦合到电压控制型移相器的放大器。

在上述电压控制型表面声波振荡器中，还包括耦合到第一和第二高通电路的每一个的第二可变电容器的控制电压输入电路。

根据本实用新型的第四方面，在一个实施例中，该振荡器是具有表面声波滤波器的电压控制型表面声波振荡器，且用于调整正和负相移的装置包括具有至少一个低通电路部分和至少一个高通电路部分的移相器。在一个实施例中，移相器包括在两个高通电路部分之间串联耦合的一个低通电 路部分。

在一个实施例中，移相器的低通电路部分还包括串联的至少一对电感器和该对电感器之间的可变电抗器/可变电容器。移相器的高通电路部分包括串联的一对可变电抗器/可变电容器和该对可变电抗器/可变电容器之间的电感器。

根据本实用新型的优选实施例的详细描述、附图和所附权利要求，本实用新型的其他优点和特征将更加显而易见。

附图说明

以下，通过结合附图的描述，可以更好地理解本实用新型的上述及其它特征，其中：

图1为包括本实用新型的特征的电压控制型表面声波振荡器的框图；

图2为本实用新型的电压控制型表面声波振荡器的电压控制型移相器的电路的一个实施例的示意图；

图3为本实用新型的电压控制型表面声波振荡器的相移角度相对于控制电压(Vt)的性能的曲线图；以及

图4为图3曲线图的归一化表示。

具体实施方式

虽然本实用新型涉及多种不同形式的实施例，但是本说明书和附图仅披露振荡器的一个实施例，并且更具体地，仅披露了根据本实用新型的电压控制型表面声波(SAW)振荡器。