[实用新型]陶瓷衬底的氮化镓基芯片无效

专利信息
申请号: 201020574260.7 申请日: 2010-10-17
公开(公告)号: CN202058735U 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 金木子;彭刚 申请(专利权)人: 金木子
主分类号: H01L29/02 分类号: H01L29/02;H01L21/02;H01L33/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 衬底 氮化 芯片
【权利要求书】:

1.陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的氮化镓基芯片的组成部分包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层;其中,所述的缓冲层形成在所述的陶瓷衬底上,所述的氮化镓基外延层形成在所述的缓冲层上;所述的氮化镓基外延层的组成部分包括依次形成的第一类型限制层、活化层、第二类型限制层。

2.根据权利要求1的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的陶瓷衬底包括:氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底、氮化硅陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底或氧化铍陶瓷衬底。

3.根据权利要求1的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的缓冲层的结构是下述结构之一:(1)低温氮化铝层;(2)高温氮化铝层;(3)成分分层结构;(4)中间媒介层;(5)所述的结构(1)、结构(2)、结构(3)和结构(4)的组合;其中,所述的结构(1)、结构(2)、结构(3)和结构(4)的组合包括,(a)依次形成的低温氮化铝层和高温氮化铝层;(b)依次形成的低温氮化铝层和成分分层结构;(c)依次形成的中间媒介层和低温氮化铝层;(d)依次形成的中间媒介层和高温氮化铝层;(e)依次形成的中间媒介层和成分分层结构;(f)依次形成的低温氮化铝层、高温氮化铝层和成分分层结构;(g)依次形成的中间媒介层、低温氮化铝层和高温氮化铝层;(h)依次形成的中间媒介层、低温氮化铝层和成分分层结构;(i)依次形成的中间媒介层、高温氮化铝层和成分分层结构;(j)依次形成的中间媒介层、低温氮化铝层、高温氮化铝层和成分分层结构;(k)依次形成的中间媒介层、低温氮化铝层、成分分层结构和高温氮化铝层。

4.根据权利要求3的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的中间媒介层形成在所述的陶瓷衬底上;所述的中间媒介层有单层或多层结构,中间媒介层的 厚度在埃到微米的范围。

5.基于陶瓷衬底的垂直结构的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的氮化镓基芯片的组成部分包括,氮化镓基外延层;所述的氮化镓基外延层的组成部分包括,第一类型限制层、活化层、第二类型限制层。

6.根据权利要求5的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的氮化镓基芯片的组成部分进一步包括,导电支持衬底;其中,所述的氮化镓基外延层键合在所述的导电支持衬底上。

7.根据权利要求6的氮化镓基芯片,其特征在于,所述的导电支持衬底包括,金属支持衬底、合金支持衬底、硅导电支持衬底、碳化硅导电支持衬底、通孔导电支持衬底;其中,所述的通孔导电支持衬底的组成部分包括,具有多个通孔的绝缘衬底、形成在所述的绝缘衬底的两个主表面上的金属膜、所述的金属膜通过所述的通孔中的金属栓形成电连接。 

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