[实用新型]阵列基板和液晶显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

阵列基板是液晶显示器的重要部件。阵列基板上可分为像素区域和接口区域，像素区域中形成各像素单元。每个像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，漏电极连接数据线，源电极连接像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。现有技术中，因源电极和漏电极形状的不同，可以形成如图1和图2所示的两种形式的阵列基板的局部俯视结构示意图。其中，图1中源电极7和漏电极8彼此平行，沟道的形状呈一条直线。图2中的漏电极8将源电极7包围，沟道的形状呈U形。当某一行的栅电极3加上开启电压Von时，TFT开关打开，漏电极8与源电极7导通，给定的信号从数据线5上加到像素电极11上。在公共电极电压不变的情况下，像素电极11上一定的电压便决定了对应像素单元上一定的灰度。液晶显示器就是通过不同像素单元的不同灰度来从整体上展现一幅画面的。

但是在阵列基板的制造过程中，由于组成阵列基板的每一层薄膜都需要经过沉积、曝光、刻蚀等工序以形成不同的图案，而各层薄膜之间的对位精度是有限的，因此每一层薄膜之间的图案都会出现一定程度的错位。这种层与层之间的错位很容易导致寄生电容值的变化。尤其对于模式为步进(Steper)的曝光机，会出现在同一张衬底基板上的同一层薄膜曝光多次的情况，即同一层薄膜会分为多个曝光区域分别进行曝光。如果同一张衬底基板上的不同曝光区域各层薄膜之间的对位尺寸不同，就会导致不同曝光区域中的寄生电容不同，尤其是栅电极和源电极之间的寄生电容Cgs。栅电极和源电极之间的寄生电容Cgs会引起像素电极上电压的跳变，这样的电压跳变会对像素单元的灰度产生影响。同一张衬底基板上不同曝光区域的Cgs不同，从而导致不同曝光区域同一灰阶的灰度有所差别，整张衬底基板的灰度不均匀，产生与曝光区域相对应的明显分区。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示面板，以解决同一张衬底基板多次曝光情况下可能出现的寄生电容Cgs不均匀的问题。

本实用新型提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括：数据线、栅线、TFT开关的栅电极、源电极、漏电极，以及像素电极，其中：

所述栅线横跨所述像素电极，将所述像素电极分为第一部分和第二部分，将所述TFT开关的栅电极分为上下相同的两部分，将所述TFT开关的源电极分为上下相同的两部分；所述TFT开关的源电极的两部分分别与所述像素电极的第一部分和第二部分相连接。

如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的源电极关于所述栅线轴对称。

如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的源电极的两部分彼此分离。

如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的漏电极为T型，与所述数据线和所述TFT开关的源电极的两部分分别组成相同的U型沟道。

如上所述的阵列基板，其中，所述像素电极的第一部分和第二部分相同，且所述栅电极位于所述第一部分和所述第二部分之间。

如上所述的阵列基板，其中，所述数据线纵跨所述像素电极，将所述TFT开关的栅电极分为左右相同的两部分；

所述TFT开关的源电极的两部分彼此分离，且分别位于所述数据线的左右两侧。

如上所述的阵列基板，其中，所述数据线将所述像素电极分为左右相同的两部分。

本实用新型还提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层，其中：所述阵列基板采用如上所述的阵列基板。

本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板，在不改变TFT开关功能和基本结构的前提下，改良了TFT开关的结构，通过将栅电极与源电极的重合部分设计为对称结构，即便在对位过程中出现水平方向的错位和/或是竖直方向的错位时，也可以消除栅金属薄膜层与数据金属薄膜层在形成图形的曝光过程中由于错位而造成的重合面积变化，从而有效保证了寄生电容Cgs的稳定，改善了Stepper曝光工艺中灰度不均匀的问题，提高产品的成品率。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2为现有技术中阵列基板的第二种局部俯视结构示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；