[实用新型]一种图像传感器有效
申请号: | 201020575586.1 | 申请日: | 2010-10-18 |
公开(公告)号: | CN201877429U | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 霍介光 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包含位于衬底表面的多个感光单元,其特征在于,还包含:
位于感光单元表面的介质层,位于介质层内和介质层表面的金属层,位于介质层表面的金属层包括至少两个金属焊垫;
覆盖所述介质层和金属层的过渡层,所述过渡层厚度小于金属焊垫的厚度,表面有凹槽;
位于所述过渡层表面的彩色滤光片,所述彩色滤光片与所述过渡层相邻的表面有朝向所述过渡层的凸起;
位于所述彩色滤光片表面的平坦层;
以及位于所述平坦层表面的多个微透镜,所述微透镜朝向所述平坦层的表面为平面,背向所述平坦层的表面为凸面。
2.依据权利要求1的图像传感器,其特征在于,所述过渡层表面的凹槽位于介质层表面相邻的金属焊垫之间。
3.依据权利要求1的图像传感器,其特征在于,所述过渡层表面的凹槽的深度为4000~6000埃。
4.依据权利要求1的图像传感器,其特征在于,所述过渡层的厚度为1000~3000埃。
5.依据权利要求1至4中的任意一项的图像传感器,其特征在于,所述过渡层是双层结构。
6.依据权利要求5的图像传感器,其特征在于,所述过渡层包含依次位于金属层和暴露的介质层表面的缓冲层和保护层。
7.依据权利要求1的图像传感器,其特征在于,所述彩色滤光片表面的凸起的位置与所述过渡层表面的凹槽的位置相对应。
8.依据权利要求1或7的图像传感器,其特征在于,所述过渡层表面的凹槽的深度为4000~6000埃。
9.依据权利要求6的图像传感器,其特征在于,所述缓冲层的材料为二氧化硅。
10.依据权利要求6的图像传感器,其特征在于,所述保护层的材料为氮化硅。
11.依据权利要求1的图像传感器,其特征在于,还包括:位于微透镜表面的低折射率的有机薄膜。
12.依据权利要求11的图像传感器,其特征在于,所述低折射率的有机薄膜的折射率为1.1~1.4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的