[实用新型]OLED照明面板有效
申请号: | 201020577138.5 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN201868436U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 洪宣杓;金正学 | 申请(专利权)人: | 四川虹视显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 孙恩源 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 照明 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种OLED照明面板,属于照明面板制造技术领域。
背景技术
现有OLED照明面板由透明阳极层,发光层和金属阴极层组成,所述阳极层由透明阳极构成,所述阴极层由金属阴极构成,由于透明阳极方阻较大,约为10Ω/□,电压降严重,一般的OLED面发光是离电源供给的地点越远电压降现象越明显,导致照明面板有明显的亮度不均匀现象。为改善照明面板亮度的不均匀性,人们提出了很多方案,基本上都是在透明阳极层上增加与所述透明阳极连通,且自身之间相互连通的辅助电极,由于辅助电极的方阻较小,约为1Ω/□,电流压降减小,通电时,使面板的透明阳极的阻抗和电流压降得到减小,亮度均匀性得到一定的改善。
现有技术中,增加的辅助电极的排布结构一般为方格形排布,即辅助电极在透明阳极层上呈相互连通的网状结构,其下部与所述透明阳极连通,上部位于发光层内,所以整个辅助电极沿照明面板厚度方向的厚度较小,对面板亮度均匀性的改善效果受到较大限制;另外,由于辅助电极不透明,光通不过,因此增加辅助电极后,位于辅助电极上方的发光层发出的光线无法进入透明阳极层,原有单调的方格形排布的辅助电极美观度较差。
实用新型内容
为了克服现有OLED照明面板亮度均匀性效果及美观度较差的不足,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可兼顾亮度均匀性与美观的OLED照明面板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:OLED照明面板,包括阳极层、阴极层,发光层和辅助电极均位于阳极层与阴极层之间,所述阳极层由透明阳极构成,所述阴极层由金属阴极构成,所述辅助电极与所述的透明阳极连通,所述辅助电极由各个各自独立的辅助电极单体组成,每一辅助电极单体与所述的透明阳极连通。
所述辅助电极单体具有相同的形状。
所述辅助电极单体具有两种以上的形状。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的辅助电极由若干个辅助电极单体组成,辅助电极单体的横向尺寸一般会大于现有排布方式,可降低阳极阻抗而改善面板亮度均匀性,并且,可将在透明阳极上排布的辅助电极变成肉眼可见的结构,并且是离散的结构,更富于设计性,利用辅助电极不透明的特性做出星星点点的图案,使OLED照明面板更为美观,还便于根据照明面板上不同部位的电压降决定辅助电极单体的大小和密度,以进一步改善面板亮度均匀性。
附图说明
图1是OLED照明面板的结构示意图。
图2是现有OLED照明面板辅助电极排布结构示意图。
图3是本实用新型的OLED照明面板辅助电极排布结构示意图。
图4是本实用新型的OLED照明面板辅助电极排布结构的另一示意图。
图中标记为,1-阴极层,2-发光层,3-辅助电极,4-阳极层,5-辅助电极单体。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
如图1、图3和图4所示,本实用新型的OLED照明面板包括阳极层4、阴极层1,发光层2和辅助电极3均位于阳极层4与阴极层1之间,所述阳极层4由透明阳极构成,所述阴极层1由金属阴极构成,所述辅助电极3与所述的透明阳极连通,所述辅助电极3由各个各自独立的辅助电极单体5组成,每一辅助电极单体5与所述的透明阳极连通。将在透明阳极上排布的辅助电极变成肉眼可见的结构,并且是离散的结构,更富于设计性,辅助电极单体的横向尺寸一般会大于现有排布方式,可降低阳极阻抗而改善面板亮度均匀性,利用辅助电极不透明的特性人为制造出星星点点的图案,使OLED照明面板更为美观,并且,可根据照明面板上不同部位的电压降决定辅助电极的大小和密度,以进一步改善面板亮度均匀性。
若要方便制造,所述辅助电极单体5可以具有相同的形状,所述形状可以是心形、星形、弯月形等装饰性较强的形状。
若要进一步改善亮度的均匀性,如图3和图4所示,可以是单个辅助电极单体5的大小变化,也可以是形状变化,也可以是密度变化,或者以上变化的结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的