[实用新型]溅镀设备的移动式磁控装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种磁控装置，特别是涉及一种安装在溅镀设备上，并可往复移位的溅镀设备的移动式磁控装置。

背景技术

溅镀设备是一种使用电浆对靶材进行离子轰击，使靶材表面的原子可以被撞击出来，最后沉积在待溅镀物上形成薄膜的专用器具。根据激发电浆方式的不同，现有的溅镀设备有许多种不同的形式，其中，磁控式溅镀设备是在靠近靶材的位置安装一个磁控装置，利用磁场与电场间的电磁效应所产生的电磁力，来影响电浆内的电子的移动，使电子可以进行螺旋式的运动，进而增进电子和气体分子间的碰撞次数，以提高气体分子离子化的机会。为了提高靶材的利用率，有些溅镀设备的磁控装置被设计成移动式。

参阅图1及图2，现有的溅镀设备通常是在一图中未示出的腔座内安装一个靶材91，通过电浆的轰击，将靶材91表面的原子轰出，最后沉积在一个间隔的待溅镀物92上，为了提高溅镀反应速率，该溅镀设备还包含一个靠近该靶材91的磁控装置1，上述磁控装置1可以受到驱动沿着一平行于待溅镀物92的长度方向93往复移动，且其包含一片矩形的基板11，该基板11具有两个间隔的长边111，以及两个垂直衔接在所述长边111的相反侧的短边112，所述磁控装置1还包含一个安装在该基板11上的磁控单元12，上述磁控单元12包括两个沿着长度方向93延伸并分别靠近一个长边111的第一磁件121、一条平行地位于所述第一磁件121中央的第二磁件122、两条平行地位于所述第一磁件121及第二磁件122之间的第三磁件123，以及数个靠近其中一个短边112的垂直磁件124。上述第一磁件121、第二磁件122及第三磁件123都是由数个磁铁120并接而成的，其中第一磁件121、第二磁件122及垂直磁件124的极性相同，例如都是N极，而第三磁件123的极性相反，例如S极。所述相邻的第一磁件121、第三磁件123之间，以及相邻的第二磁件122及第三磁件123之间的宽度W都相同。

现有的溅镀设备在进行溅镀加工时，通常在真空腔体内部通入惰性气体，并且在靶材91及待溅镀物92间通以电源，此时，产生的电浆会被靶材91吸引进行撞击，被撞离靶材91的原子就会被待溅镀物92吸引并沉积在待溅镀物92的表面上，而该磁控装置1会受到驱动沿着该长度方向93往复移动，从而提高溅镀时的反应速率。由于该磁控装置1如何移动及如何提高反应速率为现有技术，所以不再说明。

现有的磁控装置1在使用时会沿着长度方向93往复移动，以图2的方向作说明，当磁控装置1往图2的左侧移动并到达终点时，会立刻往右侧移动，在到达右侧的终点时再往左移动，因此，该磁控装置1对应待溅镀物92的每个位置的时间不太一样，也就是说，该磁控装置1对应待溅镀物92两侧的时间比对应待溅镀物92中间部位的时间短。而现有的磁控装置1的各个磁件121、122、123间的宽度W相同，所产生的磁力线强度大致相同，因此，当磁控装置1对应待溅镀物92两侧的时间较短时，靶材91受到撞击并沉积在待溅镀物92表面的时间也相对较短，造成溅镀均匀度不佳。另一方面，所述垂直磁件124和极性相反的第三磁件123垂直设置，会因为垂直磁件124及第三磁件123之间的某些部位(例如对角位置)距离较长，而削弱磁力线的强度。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种可以提高溅镀均匀度的溅镀设备的移动式磁控装置。

本实用新型移动式磁控装置包含一个基板，以及一个安装在该基板上的磁控单元，该磁控单元包括两个彼此间隔的第一磁件、一个位于所述第一磁件之间且极性相同的第二磁件、至少一个介于第二磁件与第一磁件之间且极性相反的第三磁件，以及数个连接在第一磁件及第二磁件之间的弧连磁件，上述第三磁件和相邻的第一磁件之间的宽度小于上述第三磁件和第二磁件之间的宽度。

本实用新型该磁控单元的第三磁件的数量是两个，分别位于该第二磁件的相反侧。

本实用新型的弧连磁件都具有一个与第一磁件垂直连接的平连段，以及一个连接在该平连段及第二磁件之间的弧连段。

本实用新型该基板包括两个彼此平行且分别靠近其中一个第一磁件的长边，且所述第一磁件、第二磁件及第三磁件间隔设置，并且和所述长边平行。

本实用新型的基板还包括两个垂直连接在所述长边之间的短边，而所述弧连磁件左右对称地靠近其中一个短边。

本实用新型的有益功效在于：通过改变相邻磁件之间的宽度，可以改善磁控装置因为往复移动和对应待溅镀物的各部位的时间不同，所可能产生的溅镀均匀度不佳的缺点。

附图说明

图1是一种现有的溅镀设备的一个磁控装置的主视示意图；