[实用新型]一种功率半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 201020581196.5 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN201868416U | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李文升;张文雁;田晓宇;赵飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：
所述功率半导体圆片划片槽内设有硅通孔，所述硅通孔内部设有将功率半导体背面的背面电极引致圆片正面的金属线；
所述功率半导体正面设有第一绝缘层，所述第一绝缘层上与正面电极对应部分设有第一通孔，所述第一通孔处沉积有金属层；
所述第一绝缘层、正面电极对应的金属层、与背面电极连接的金属线上设有第二绝缘层，所述第二绝缘层与正面电极和金属线对应部分设有第二通孔；
所述第二绝缘层上部及第二通孔处设有将正面电极和背面电极位置进行排布的金属铜线；
所述第二绝缘层、金属铜线上设有第一保护层，所述第一保护层上设有与正面电极和背面电极对应的第三通孔；
所述第三通孔处设有将正面电极和背面电极信号引出的金属凸点。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述硅通孔内壁设有第三绝缘层。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述第一通孔与第二通孔位置部分重叠。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述功率半导体侧部及底部设有绝缘钝化保护层。
5.如权利要求1至4任一项所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述功率半导体为二极管、或肖特基晶体管、或双极型晶体管、或MOSFET、或IGBT。
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