[实用新型]物理气相沉积主机台的传送腔

说明书

技术领域

本实用新型涉及生产制造领域，尤其涉及一种应用于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)设备的主机台的传送腔。

背景技术

PVD设备广泛地应用于半导体器件及其集成电路的生产制造活动中，用于沉积半导体材料层，金属层，绝缘层等。所述PVD设备主机台通常包括传送腔，所述传送腔包括传送腔盖和传送腔体，所述传送腔体内通常固定有用于放置晶圆的晶圆承载基座，所述传送腔盖与传送腔体匹配，可以闭合或者打开。进行PVD工艺时，传送腔盖从传送腔体打开，将晶圆放置在晶圆承载基座上，再闭合所述传送腔盖。所述PVD设备传送腔需要定期进行清洗和维修，清洗和维修时，一般需要完全打开传送腔盖，才能对传送腔体进行彻底清洗。

由于传送腔盖闭合时，传送腔盖与传送腔体之间有一定的间隙(gap)，进行清洗之后再次闭合传送腔盖时，通常会发现传送腔盖有一定的漂移。通常，传送腔上都设置有局部中心探测器(Local Center Find，LCF)，用来侦测晶圆进出PVD主机台传送腔的位置，所述LCF的发射装置设置在传送腔体上，接收装置设置在传送腔盖上，当传送腔盖漂移之后，LCF的发射装置发射的信号不能被位于传送腔盖上的接收装置接收到。当晶圆被传递进入晶圆承载基座时，其位于传送腔中的位置会根据LCF接收到的信息被自动调整，这就导致晶圆最终被放置的位置错误。

参考附图1所示，其为所述传送腔盖漂移后，传送腔体与传送腔盖相对位置的俯视图，其中，10为传送腔体，11为传送腔盖，12为漂移之后的传送腔盖位置，从附图1中明显可以看出，某些位置，传送腔体10与传送腔盖11之间产生了较大的空隙。接着，参考附图2所示，其为传送腔盖漂移之后，LCF对晶圆的定位图，在附图2中，实线反应传送腔盖位置正常的情况下LCF对晶圆的位置，虚线反应传送腔盖位置漂移之后LCF对晶圆的位置，从附图2中可以看出，LCF反应的晶圆位置发生变化，因此，设备会自动将晶圆位置进行调整，这种调整使晶圆偏离了准确位置，导致产品良率下降。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种物理气相沉积主机台的传送腔，以解决现有的PVD主机台在清洗之后，传送腔体与传送腔盖之间发生漂移，导致传送腔体内产品随传送腔盖漂移的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种物理气相沉积主机台的传送腔，所述物理气相沉积主机台的传送腔包括传送腔体和传送腔盖，所述传送腔盖与传送腔体匹配，所述传送腔盖能够闭合或者打开，所述的传送腔体上还设置有两个或者两个以上的定位销，在所述传送腔盖闭合时，所述定位销用于固定所述传送腔盖的位置。

可选的，在所述的物理气相沉积主机台的传送腔中，所述传送腔体包括水平面以及与所述水平面成一定角度连接的斜面，其中，所述水平面用于与传送腔盖密闭接触，所述水平面的面积大于所述传送腔盖与其接触面的面积，所述定位销垂直穿透所述斜面，并且伸出所述斜面一定的距离。

可选的，在所述的物理气相沉积主机台的传送腔中，所述斜面与水平面的角度为钝角。所述定位销呈L型。

与现有技术相比，本实用新型提供的物理气相沉积主机台的传送腔具有以下优点：所述物理气相沉积主机台的传送腔通过加设的两个或者两个以上的定位销，避免在传送腔盖闭合时传送腔盖相对传送腔体的漂移，从而可确保待加工的晶圆位置准确，提高了产品良率。

附图说明

图1为现有的传送腔盖漂移后，传送腔体与传送腔盖相对位置的俯视图；

图2为现有的传送腔盖漂移之后，LCF对晶圆的定位图；

图3为本实用新型所提供的PVD主机台的传送腔的俯视图；

图4为本实用新型的PVD主机台的传送腔的定位销与传送腔体和传送腔盖的截面示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的PVD主机台的传送腔作进一步详细说明。根据下述的说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。