[实用新型]高压MOSFET驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及MOSFET驱动控制电路，尤指一种高压MOSFET的驱动电路。

背景技术

传统的高压MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)驱动电路电路示意图如图1，其连接关系是：输入信号Vin直接与三极管NPN管Q1的基极以及三极管PNP管Q2的基极相连，三极管NPN管Q1的发射极和三极管PNP管Q2的发射极与整个高压MOSFET驱动电路的地相连，三极管Q1的集电极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端直接耦合于驱动开关组件高压PMOSFET P1的栅极，电容C1和电阻R1并联耦合于驱动开关组件高压PMOSFET的栅源之间，稳压二极管DZ1的阳极与驱动开关组件高压PMOSFET的栅极相连，稳压二极管DZ1的阴极与驱动开关组件高压PMOSFET的源极相连并耦合于直流高压正电源Vdd；三极管Q2的集电极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端直接耦合于驱动开关组件高压NMOSFET的栅极，电容C2和电阻R4并联耦合于驱动开关组件高压NMOSFET的栅源之间，稳压二极管DZ2的阴极与驱动开关组件高压NMOSFET的栅极相连，稳压二极管DZ2的阳极与驱动开关组件高压NMOSFET的源极相连并耦合于直流高压负电源-Vss；驱动开关组件高压PMOSFET P1的漏极和驱动开关组件高压NMOSFET的漏极直接相连作为整个高压MOSFET驱动电路的输出Vout。这种传统的高压MOSFET驱动电路的缺点在于：1、在驱动开关组件高压PMOSFET P1和高压NMOSFET N1的主通道用三极管Q1，Q2，在高压电源工作时，势必会增加整个电路的静态功耗；2、由于高压MOSFET驱动电路中驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET它们的栅源极电压都有最大栅源极间电压的限制，(一般不能超过20V)，如果超过这个限制，器件MOSFET就容易损坏，驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的栅源极直接接稳压二极管DZ1，DZ2，保证驱动开关组件MOSFET它们的栅源极电压不超过最大栅源极间电压值，但是这样就会使得驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的关断时间延长，从而导致驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET上下桥臂同时导通，不但消耗额外的功耗以及负载调整率比较大以外，甚至可以导致驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的烧坏。

实用新型内容

本实用新型提供一种能克服驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET上下桥臂同时导通现象的新型的高压MOSFET驱动电路。

为此，采用如下技术方案：一种高压MOSFET驱动电路，包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET，它还包括第一电平位移电路，第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路，第一栅极控制电路及第二栅极控制电路；所述第一分压电路的一端接整个电路的最高电位，其另一端与所述第一电平位移电路的一端耦接于A；而该第一电平位移电路的另一端与所述第二电平位移电路的一端相连并耦接于输入信号Vin；该第二电平位移电路的另一端与第二分压电路的一端耦接于B；第二分压电路的另一端接整个电路的最低电平；所述第一分压电路的输出C与第一栅极控制电路的输入相连，第一栅极控制电路的输出E直接控制第一高压开关电路PMOSFET，同时直流高压正电源Vdd也与第一栅极控制电路和第一高压开关电PMOSFET相连；所述第二分压电路的输出D与第二栅极控制电路的输入相连，第二栅极控制电路的输出F直接控制第二高压开关电路NMOSFET，同时直流高压负电源-Vss也与第二栅极控制电路和第二高压开关电路NMOSFET相连。

作为优化：所述第一、第二电平位移电路均为稳压二极管，第一电平位移电路中的稳压二极管阳极接输入信号，阴极耦接于A，第二电平位移电路中的稳压二极管阴极接输入信号，阳极耦接于B。

所述第一、第二分压电路均为多个电阻相串联，第一分压电路中的串联电阻必须保证对第一高压开关电路栅源电压大于其开启电压，小于其最大栅源电压，第二分压电路中的串联电阻必须保证对第二高压开关电路栅源电压大于其开启电压，小于其最大栅源电压。

所述第一、第二栅极控制电路均有电容和快恢复二极管组成；第一栅极控制电路中电容和快恢复二极管相并联，该快恢复二极管的阳极与第一高压开关电路的栅极相连，阴极耦接于直流高压正电源Vdd；第二栅极控制电路中电容和快恢复二极管并联，该快恢复二极管的阳极与第二高压开关电路的栅极相连，阴极耦接于直流高压负电源-Vss。