[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置及已修复的阵列基板有效

专利信息
申请号: 201020592166.4 申请日: 2010-10-29
公开(公告)号: CN201984264U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 谢振宇;陈旭;龙春平 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 液晶 显示装置 修复
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列基板,该薄膜晶体管阵列基板上形成有由栅线和数据线限定的多个像素单元,每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极;所述栅线的下侧形成有第一公共电极线且所述栅线的上侧形成有第二公共电极线,所述像素单元的左侧形成有第一挡光条和所述像素单元的右侧形成有第二挡光条;所述第一公共电极线、所述第二公共电极线、所述第一挡光条和所述第二挡光条呈一体结构并在所述像素单元的周边形成环形结构;其特征在于,

在所述像素电极的四条主边上分别形成有至少一个维修区域,该维修区域凹向所述像素电极内侧;而且,在所述维修区域内,所述像素电极与所述第一公共电极线、所述第二公共电极线、所述第一挡光条或所述第二挡光条之间不存在交叠部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,位于同一栅线上侧的所述第二公共电极线与该栅线下侧的所述第一公共电极线通过连接电极连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,在所述像素电极的右侧主边上形成有两个维修区域;其中一个维修区域靠近所述第一公共电极线,另一个维修区域靠近所述第二挡光条。

4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述维修区域呈矩形。

5.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述维修区域呈半圆形或者半椭圆形,且圆弧部分朝向所述像素电极内侧。

6.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述维修区域呈三角形,且该三角形的顶角朝向所述像素电极内侧。

7.一种液晶显示装置,包括彩膜基板和阵列基板;其特征在于,所述阵列 基板采用权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板结构。

8.一种包括权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,

出现有断点的栅线与位于该栅线一侧的所述第一公共电极线/第二公共电极线通过所述断点两侧的搭桥结构或者所述连接电极电连接形成通路,该通路与所述一体结构的主体部分在切割点处断开;其中,所述切割点中的至少一个位于所述维修区域内。

9.一种包括权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,

出现有断点的数据线与位于该数据线一侧的所述第一挡光条/第二挡光条通过位于所述断点两侧的所述连接电极电连接形成通路,该通路与所述一体结构的主体部分在切割点处断开;其中,所述切割点中的至少一个位于所述维修区域内。

10.一种包括权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述一体结构中的第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条或者第二挡光条与所述像素电极之间短路;

短路部分与所述一体结构的主体部分在切割点处断开;所述切割点中的至少一个均位于所述维修区域内。 

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