[实用新型]一种免疫比浊测定装置有效
申请号: | 201020594198.8 | 申请日: | 2010-11-05 |
公开(公告)号: | CN201876418U | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 胡益民;朱惠忠;敬刚;刘岩;杨永刚;袁文龙;梁荣 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院 |
主分类号: | G01N21/59 | 分类号: | G01N21/59;G01N21/49 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 免疫 测定 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及自动检测的化学分析仪领域,具体是涉及一种免疫比浊测定装置。
【背景技术】
血浆蛋白成分至少有1000多种,已分离出的具有临床意义的纯品有100多种,其中许多蛋白具有特定的抗原性,可以采用抗原抗体反应的方法,对血液、脑脊液、尿液等标本中的这些蛋白进行检测,故习惯上称其为特定蛋白。这些特定蛋白在机体内具有某种生理功能,当机体处于疾病状态时又具有重要的病理意义。目前已经用于临床诊断的特定蛋白多达40余种。通过专业的特定蛋白分析仪对此类蛋白进行分析检测,可以为临床提供有效的病理生理指标,并用作临床诊断、治疗效果和分析预后的依据。
目前,免疫比浊法已经成为检测体液中特定蛋白的一种微量、快速、自动化检测的常规免疫化学分析技术。其基本原理是:抗原抗体在特殊缓冲液中快速形成抗原抗体复合物,使反应液出现浊度,当光线通过该浑浊液时,由于浑浊液中悬浮质点对光的选择性吸收和散射作用,透射光与散射光的光强会发生变化;当反应液中保持抗体过量时,形成的复合物随抗原量的增加而增加,反应液的浊度亦随之增加,透射光与散射光的光强变化量与反应液中的抗原量形成一定的数量关系,通过与一系列的标准品对照,即可计算出受检物的含量。现有技术的免疫比浊测定装置如图1所示,光源1的光通过试管4盛装的反应液5后被光电转换器7接受,电流电压转换器9的输入端连接光电转换器7的输出端,接收转换后的电流信号,电流电压转换器9的输出端与处理器12连接。
现有的免疫比浊测定装置存在以下缺陷:随着时间的推移,光源的发光器件逐渐老化,导致发光光强发生变化,从而造成检测的误差。
【发明内容】
本实用新型提供了一种免疫比浊测定装置,以解决光源光强不恒定的技术问题:
为了解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:一种免疫比浊测定装置,包括光源、光电转换器及处理器,还包括负反馈控制器,所述光电转换器接收所述光源发出的光束,所述处理器与所述光电转换器的输出端连接,所述负反馈控制器的输入端与所述光电转换器的输出端连接,输出端与所述光源连接,所述负反馈控制器通过控制所述光源的电流的大小,使所述光源的光强恒定。
与现有技术相比,上述技术方案的优势在于:负反馈控制器可以控制所述光源的电流大小,使所述光源的光强恒定,从而保证了免疫比浊测定装置的检测结果的准确。
本实用新型还有如下优选实施例:
所述负反馈控制器包括放大器、第一限流电阻、第二限流电阻和晶体管;所述放大器的第一输入端与所述光电转换器的输出端连接,第二输入端与参考电源连接;所述第一限流电阻耦合于所述放大器的输出端和所述晶体管的基极之间,所述第二限流电阻与光源串联后耦合于所述晶体管的集电极和地之间。
还包括电流电压转换器,所述电流电压转换器的输入端与所述光电转换器的输出端连接,输出端分别与所述负反馈控制器的输入端和处理器连接。
进一步采用电流电压转换器将所述光电转换器的电流信号转换为电压信号,使得负反馈控制器中可以采用输入端接收电压信号的放大器,大大拓宽了可选器件的范围和降低了工程的实现难度。
所述光束为经过受检液散射的所述光源发出的光束。
进一步采用以上方案的优势在于:由于在某些浓度段,悬浮物质浓度的变化致使散射光强比透射光强的变化更明显,此时接收散射光比接收透射光更有利于提高仪器的检测灵敏度。
所述光源采用半导体光源,例如半导体激光器、发光二极管等。
本实用新型的有益效果是:由于采用了负反馈控制电路自动调节流过光源的电流的大小,因而能控制光源光强的恒定。
【附图说明】
图1为现有技术中的一种实施例的免疫比浊测定装置图;
图2为本实用新型的具体实施例1的免疫比浊测定装置图;
图3为具体实例1中的一种负反馈控制器的具体电路图;
图4为本实用新型的具体实施例2的免疫比浊测定装置图;
图5为本实用新型的具体实施例3的免疫比浊测定装置图。
【具体实施方式】
具体实施例1
如图2所示的免疫比浊测定装置,包括光源1、光电转换器7、负反馈控制器11以及微处理器(MCU)12,图1还有盛装反应液5的试管4。其中光源1可以采用半导体光源,比如发光LED、半导体激光器等。
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