[实用新型]依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座

权利要求书

1.一种依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，包括插座主体，其特征在于，所述插座主体包括底板和与被测半导体芯片接触的连接器主体，在所述连接器主体的中部和所述底板之间装配有中心接地铜块，弹簧探针包括信号传输弹簧探针和接地弹簧探针，分别插入所述连接器主体和所述中心接地铜块相应的孔腔内。

2.根据权利要求1所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述中心接地铜块由上中心接地铜块和下中心接地铜块构成。

3.根据权利要求1或2所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述中心接地铜块表面镀金。

4.根据权利要求1所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述接地弹簧探针的外表面和所述中心接地铜块相应的孔腔内壁紧密贴合。

5.根据权利要求1所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述中心接地铜块通过8个边角锁扣结构固定在所述插座主体上。

6.根据权利要求1所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述信号传输弹簧探针中轴与所述中心接地铜块之间的距离为0.35mm±0.02mm。

7.根据权利要求1所述的依靠中心导地块改善高频性能的集成电路测试插座，其特征在于，所述中心接地铜块边侧与所述插座主体之间留有间隙。